GD720HTA120P6HT, IGBT модуль, STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 720А.

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
4мс қысық жол қабілеті
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
Si3N4AMB технологиясын пайдаланатын айрылған көмбірек пинфин тақтасы

Типілік қолданулар

Автомобиль өнеркәсібіне арналған
Гибридтік және электрлік көлік
Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор

Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I КН	Коллекторды іске асыру рент	720	А
I Ц	Коллектор токы @ T F =65 O Ц	600	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	1440	А
p D	Максималды қуат тарату ация @ t F =75 O Ц t vj =175 O Ц	1204	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V РРМ	Қайталанатын шың кері кернеу ГЭ	1200	V
I БФ	Коллекторды іске асыру рент	720	А
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	600	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	1440	А

Модуль

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
t vjmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t vjop	Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз 10 секунд ішінде 30 секунд, пайда болуы өмір бойы максимум 3000 рет мен	-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты	3000	V

IGBT Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =600A,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц		1.50		V
		I Ц =600A,V ГЭ =15В, t vj =150 O Ц		1.80
		I Ц =600A,V ГЭ =15В, t vj =175 O Ц		1.85
		I Ц =720А,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц		1.60
		I Ц =720А,V ГЭ =15В, t vj =175 O Ц		2.05
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц = 15,6 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц		6.0		V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпа кедергісі			1.67		Ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В		48.7		НФ
Ц лық	Шығарылымдық сыйымдылық			1.55		НФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық			0.26		НФ
Q g	Қақпалық төлем	V CE =800В,I Ц =600А, V ГЭ =-8...+15В		3.52		μC
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =800В,I Ц =600А, R Қон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, L с =24нГн, V ГЭ =-8V/+15V, t vj =25 O Ц		208		н
t R	Күтерілу уақыты			65		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			505		н
t F	Күз мезгілі			104		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			77.7		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			62.2		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =800В,I Ц =600А, R Қон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, L с =24нГн, V ГЭ =-8V/+15V, t vj =150 O Ц		225		н
t R	Күтерілу уақыты			75		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			567		н
t F	Күз мезгілі			191		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			110		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			83.4		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =800В,I Ц =600А, R Қон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, L с =24нГн, V ГЭ =-8V/+15V, t vj =175 O Ц		226		н
t R	Күтерілу уақыты			77		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			583		н
t F	Күз мезгілі			203		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			118		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			85.9		МЖ
I SC	SC деректері	t p ≤4мс, V ГЭ =15В, t vj =175 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В		2600		А

Диод Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =600A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц		1.95		V
		I F =600A,V ГЭ =0В,Т vj =150 O Ц		1.95
		I F =600A,V ГЭ =0В,Т vj =175 O Ц		1.90
		I F =720А,V ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц		2.05
		I F =720А,V ГЭ =0В,Т vj =175 O Ц		2.05
Q R	Алынған айыппұл	V R =800В,I F =600А, -ди/дт=8281А/мс, L с =24n H, V ГЭ =-8V, t vj =25 O Ц		44.3		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			346		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			16.2		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R =800В,I F =600А, -ди/дт=6954А/мкс, L с =24n H, V ГЭ =-8V, t vj =150 O Ц		73.4		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			385		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			27.8		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R =800В,I F =600А, -ди/дт=6679А/мкс, L с =24n H, V ГЭ =-8V, t vj =175 O Ц		80.7		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			392		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			30.7		МЖ

НТК Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
R 25	Атаулы кедергі			5.0		kΩ
∆R/R	Ауыспалы туралы R 100	t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Күш Диссипация				20.0	мW
Б 25/50	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3375		К
Б 25/80	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3411		К
Б 25/100	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		8		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		0.75		mΩ
p	Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма t негізгі тақта <40 O Ц t негізгі тақта >40 O Ц (относительное басық)			2.5 2.0	бар
R ТЖЖ	Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT )Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од) △ V/ △ t=10,0 dm 3/Минуты ,t F =75 O Ц		0.072 0.104	0.083 0.120	К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы	3.6 1.8		4.4 2.2	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		750		g