GD600SGU120C2SD,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц =70 O Ц

857

600

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

А

p D

Максималды қуаттылық vj =150 O Ц

4310

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

600

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

O Ц

t vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц

3.00

3.45

V

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t vj =125 O Ц

3.80

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =12 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц

4.8

5.8

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.31

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

43.6

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

2.72

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15В…+15В

8.32

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω, В ГЭ =±15В, LS =50 nH ,t vj =25 O Ц

317

н

t R

Күтерілу уақыты

76

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

548

н

t F

Күз мезгілі

55

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

20.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

34.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1.5Ω, В ГЭ =±15В, LS =50 nH ,t vj =125 O Ц

325

н

t R

Күтерілу уақыты

79

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

595

н

t F

Күз мезгілі

59

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

27.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

38.4

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t vj =125 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

3000

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =600A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц

1.85

2.30

V

I F =600A,V ГЭ =0В,Т vj =125 O Ц

1.90

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =600А,

-di/дt=7745А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =50 nH ,t vj =25 O Ц

58.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

489

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

28.1

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =600А,

-di/дt=7355А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =50 nH ,t vj =25 O Ц

100

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

563

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

48.2

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.029 0.069

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.014 0.034 0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g