GD600HFX170C6S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Жинақтаушы Жүк @ T Ц =25 o Ц

@ T Ц = 100o Ц

1069

600

А

I CM

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p = 1 мс

1200

А

P D

Максимум Күш Диссипация @ T ж =175 o Ц

4166

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

600

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы бұрылыс температурасы табиғат

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40 дейін +150

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40 дейін +125

o Ц

V ISO

Оқшаулау Кернеу РМС ,f=50 Гц , t=1 минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V CE (тұрып )

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =600А, V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =600А, V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.25

I Ц =600А, V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 12.0mА ,V CE = V ГЭ ,T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушыны кесу

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В,

T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.1

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1 МГц ,

V ГЭ =0В

72.3

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.75

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

5.66

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 900В, I Ц =600А, R G = 1,0Ω, V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

160

н

t r

Күтерілу уақыты

67

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

527

н

t f

Күз мезгілі

138

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

154

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

132

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 900В, I Ц =600А, R G = 1,0Ω, V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц

168

н

t r

Күтерілу уақыты

80

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

585

н

t f

Күз мезгілі

168

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

236

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

189

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 900В, I Ц =600А, R G = 1,0Ω, V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц

192

н

t r

Күтерілу уақыты

80

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

624

н

t f

Күз мезгілі

198

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

259

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

195

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150 o Ц ,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

2400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =600А, V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

1.80

2.25

V

I F =600А, V ГЭ =0В, T ж = 125o Ц

1.90

I F =600А, V ГЭ =0В, T ж = 150o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R = 900В, I F =600А,

-ди /dt = 6700A/μs, V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц

153

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

592

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

76.5

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 900В, I F =600А,

-ди /dt = 6700A/μs, V ГЭ =- 15В T ж =125 o Ц

275

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

673

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

150

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 900В, I F =600А,

-ди /dt = 6700A/μs, V ГЭ =- 15В T ж =150 o Ц

299

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

690

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

173

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц = 100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

Б- мәні

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

Б- мәні

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

Б- мәні

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC + EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі, терминал чипке

1.10

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дейін -Кейс (бір IGBT )

Бөлшеуіш -дейін -Кейс (бір Диод )

0.036

0.073

К/W

R тХ

Кейс -дейін -Жылу сорғышы (бір IGBT )

Кейс -дейін -Жылу сорғышы (бір Диод )

Қалқа-жылу сорғышы (модуль бойынша)

0.027

0.055

0.009

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Шаршы М6 Орнату Торк , Шаршы М 5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Салмағы Модуль

350

g