IGBT модулі, 1700В 600А
Қысқаша кіріспе
IGBT модулі , STARPOWER компаниясымен өндірілген. 1700V 600A.
Ерекшеліктер
Үлгілік Қолданбалар
Абсолютті Максимум Рейтингтер t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ | Сипаттама | мәні | бірлік |
V CES | Жинағыш-эмиттер кернеуі | 1700 | V |
V ГЭС | Қақпа-эмиттер кернеуі | ±20 | V |
I Ц | Жинақтаушы Жүк @ t Ц =25 O Ц @ t Ц = 100O Ц | 1069 600 | А |
I CM | Импульстік Жинақтаушы Жүк t p = 1 мс | 1200 | А |
p D | Максимум Күш Диссипация @ t ж =175 O Ц | 4166 | W |
Диод
Символ | Сипаттама | мәні | бірлік |
V РРМ | Қайталанатын ең жоғары кері кернеу | 1700 | V |
I F | Диодты үздіксіз алдыңғы ток | 600 | А |
I Fm | Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс | 1200 | А |
Модуль
Символ | Сипаттама | мәні | бірлік |
t jmax | Жоғарғы бұрылыс температурасы табиғат | 175 | O Ц |
t жіп | Жұмыс қиылысының температурасы | -40 дейін +150 | O Ц |
t ЖТГ | Сақтау температурасы | -40 дейін +125 | O Ц |
V ISO | Оқшаулау Кернеу РМС ,f=50 Гц , t=1 Минуты | 4000 | V |
IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік |
V CE (тұрып ) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі | I Ц =600А, V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц |
| 1.85 | 2.20 |
V |
I Ц =600А, V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц |
| 2.25 |
| |||
I Ц =600А, V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц |
| 2.35 |
| |||
V ГЭ (th ) | Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу | I Ц = 12.0mА ,V CE = V ГЭ ,t ж =25 O Ц | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
I CES | Жинақтаушыны кесу Жүк | V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц |
|
| 5.0 | mА |
I ГЭС | Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк | V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц |
|
| 400 | nA |
R Гинт | Ішкі қақпа кедергісі |
|
| 1.1 |
| Ω |
Ц лар | Кіріс сыйымдылығы | V CE =25В,f=1 МГц , V ГЭ =0В |
| 72.3 |
| НФ |
Ц ре | Кері ауыстыру Қуаттылық |
| 1.75 |
| НФ | |
Q g | Қақпалық төлем | V ГЭ =- 15...+15В |
| 5.66 |
| μC |
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 900В, I Ц =600А, R g = 1,0Ω, V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц |
| 160 |
| н |
t R | Күтерілу уақыты |
| 67 |
| н | |
t D (Ашылған ) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 527 |
| н | |
t F | Күз мезгілі |
| 138 |
| н | |
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 154 |
| МЖ | |
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 132 |
| МЖ | |
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 900В, I Ц =600А, R g = 1,0Ω, V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц |
| 168 |
| н |
t R | Күтерілу уақыты |
| 80 |
| н | |
t D (Ашылған ) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 585 |
| н | |
t F | Күз мезгілі |
| 168 |
| н | |
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 236 |
| МЖ | |
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 189 |
| МЖ | |
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 900В, I Ц =600А, R g = 1,0Ω, V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц |
| 192 |
| н |
t R | Күтерілу уақыты |
| 80 |
| н | |
t D (Ашылған ) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 624 |
| н | |
t F | Күз мезгілі |
| 198 |
| н | |
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 259 |
| МЖ | |
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 195 |
| МЖ | |
I SC |
SC деректері | t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц ,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В |
|
2400 |
|
А |
Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | Блоктар |
V F | Алға қарай диод Кернеу | I F =600А, V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц |
| 1.80 | 2.25 |
V |
I F =600А, V ГЭ =0В, t ж = 125O Ц |
| 1.90 |
| |||
I F =600А, V ГЭ =0В, t ж = 150O Ц |
| 1.95 |
| |||
Q R | Алынған айыппұл | V R = 900В, I F =600А, -ди /dt = 6700A/μs, V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц |
| 153 |
| μC |
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
| 592 |
| А | |
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия |
| 76.5 |
| МЖ | |
Q R | Алынған айыппұл | V R = 900В, I F =600А, -ди /dt = 6700A/μs, V ГЭ =- 15В t ж =125 O Ц |
| 275 |
| μC |
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
| 673 |
| А | |
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия |
| 150 |
| МЖ | |
Q R | Алынған айыппұл | V R = 900В, I F =600А, -ди /dt = 6700A/μs, V ГЭ =- 15В t ж =150 O Ц |
| 299 |
| μC |
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
| 690 |
| А | |
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия |
| 173 |
| МЖ |
НТК Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік |
R 25 | Атаулы кедергі |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Ауыспалы туралы R 100 | t Ц = 100 O Ц Р 100= 493,3Ω | -5 |
| 5 | % |
p 25 | Күш Диссипация |
|
|
| 20.0 | мW |
Б 25/50 | Б- мәні | R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
| 3375 |
| К |
Б 25/80 | Б- мәні | R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
| 3411 |
| К |
Б 25/100 | Б- мәні | R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
| 3433 |
| К |
Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік |
L CE | Айналадағы индуктивтілік |
| 20 |
| nH |
R CC + EE ’ | Модульдің қорғасын кедергісі, терминал Чипке |
| 1.10 |
| mΩ |
R ТЖК | Бөлшеуіш -дейін -Қорытқа (бір IGBT ) Бөлшеуіш -дейін -Қорытқа (бір Диод ) |
|
| 0.036 0.073 | К/W |
R ТХ | Қорытқа -дейін -Жылу сорғышы (бір IGBT ) Қорытқа -дейін -Жылу сорғышы (бір Диод ) Қалқа-жылу сорғышы (модуль бойынша) |
| 0.027 0.055 0.009 |
|
К/W |
м | Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Шаршы М6 Орнату Торк , Шаршы м 5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | Н.М |
g | салмағы Модуль |
| 350 |
| g |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
