GD600HFX120C2SA ,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі

±20 ±30

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц

925

600

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

3000

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

600

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.65

2.00

V

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =600A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.25

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

60.8

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.84

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

4.64

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1,2Ω, L с = 34 nH , V ГЭ =±15В,Т ж =25 O Ц

339

н

t R

Күтерілу уақыты

95

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

468

н

t F

Күз мезгілі

168

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

63.7

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

56.4

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1,2Ω, L с = 34 nH , V ГЭ =±15В,Т ж =125 O Ц

418

н

t R

Күтерілу уақыты

135

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

567

н

t F

Күз мезгілі

269

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

108

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

72.3

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R g =1,2Ω, L с = 34 nH , V ГЭ =±15В,Т ж =150 O Ц

446

н

t R

Күтерілу уақыты

151

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

602

н

t F

Күз мезгілі

281

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

123

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

78.2

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.85

2.30

V

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.90

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di⁄dt=5210A⁄μс,V ГЭ =-15V, L с = 34 nH ,t ж =25 O Ц

49.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

300

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

24.1

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di⁄dt=3490A⁄μс,V ГЭ =-15V, L с = 34 nH ,t ж =125 O Ц

85.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

314

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

33.8

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di⁄dt=3080A⁄μс,V ГЭ =-15V, L с = 34 nH ,t ж =150 O Ц

102

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

318

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

36.8

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.050 0.080

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.033 0.052 0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g