GD400HTX120P6HFL, IGBT Модуль, STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 400А.

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
6 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
Жеке көміртегі пинфин табанын пайдалану Si арқылы ₃Н ₄AMB технологиясы

Типілік қолданулар

Автомобиль өнеркәсібіне арналған
Гибридтік және электрлік көлік
Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор

Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I КН	Коллекторды іске асыру рент	400	А
I Ц	Коллектор токы @ T F =100 O Ц	250	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	800	А
p D	Максималды қуат тарату ация @ t F =75 O Ц t ж =175 O Ц	862	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V РРМ	Қайталанатын шың кері кернеу ГЭ	1200	V
I БФ	Коллекторды іске асыру рент	400	А
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	250	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	800	А
I 2t	I 2t-мәні,t p =10мс @ T ж =125 O Ц @ Т ж =150 O Ц	17860 15664	А 2с

Модуль

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
t jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t жіп	Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз 10 секунд ішінде 30 секунд, пайда болуы өмір бойы максимум 3000 рет мен	-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты	3000	V

IGBT Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =250A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц		1.45	1.80	V
		I Ц =250A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц		1.65
		I Ц =250A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц		1.70
		I Ц =380A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц		1.70
		I Ц =380A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц		2.15
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =9.75 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпа кедергісі			2.4		Ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В		33.6		НФ
Ц лық	Шығарылымдық сыйымдылық			1.43		НФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық			0.82		НФ
Q g	Қақпалық төлем	V CE = 600В,I Ц =250A, V ГЭ =-8...+15В		1.98		μC
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =250А, R g =2.2Ω, L с =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V, t ж =25 O Ц		231		н
t R	Күтерілу уақыты			50		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			545		н
t F	Күз мезгілі			172		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			19.6		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			23.2		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =250А, R g =2.2Ω, L с =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V, t ж =125 O Ц		241		н
t R	Күтерілу уақыты			57		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			619		н
t F	Күз мезгілі			247		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			26.6		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			28.7		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =250А, R g =2.2Ω, L с =24 nH ,V ГЭ =-8V/+15V, t ж =150 O Ц		245		н
t R	Күтерілу уақыты			57		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			641		н
t F	Күз мезгілі			269		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			30.1		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			30.9		МЖ
I SC	SC деректері	t p ≤6μс, V ГЭ =15В, t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В		1200		А

Диод Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =250A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц		1.50	1.90	V
		I F =250A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц		1.45
		I F =250A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц		1.40
		I F =380A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц		1.65
		I F =380A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц		1.60
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =250А, -di⁄dt=4860A⁄μs,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t ж =25 O Ц		9.10		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			160		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			4.39		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =250А, -di/dt=4300A/μs,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t ж =125 O Ц		21.4		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			192		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			8.43		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =250А, -di/dt=4120A/μs,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t ж =150 O Ц		25.7		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			203		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			9.97		МЖ

НТК Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
R 25	Атаулы кедергі			5.0		kΩ
∆R/R	Ауыспалы туралы R 100	t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Күш Диссипация				20.0	мW
Б 25/50	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3375		К
Б 25/80	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3411		К
Б 25/100	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		8		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		0.75		mΩ
△ p	△ V/ △ t=10,0 dm 3/Минуты ,t F =75 O Ц		64		мбар
p	Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма			2.5	бар
R ТЖЖ	Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод)		0.098 0.128	0.116 0.150	К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы	3.6 1.8		4.4 2.2	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		750		g