GD400HTX120P4SA, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I КН

Коллекторды іске асыру рент

400

А

I Ц

Коллектор токы @ T F =25 O C @ T F =75 O Ц

400

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

1500

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I БФ

Реализованный Forward Cu рент

400

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.50

1.95

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.60

I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

1.65

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =16.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.3

5.8

6.3

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

41.4

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

1.16

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =15В

3.11

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =500V,I Ц =300A, R g =1.5Ω,V ГЭ =±15В, LS =25 nH ,t ж =25 O Ц

74

н

t R

Күтерілу уақыты

31

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

352

н

t F

Күз мезгілі

255

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

4.01

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

22.9

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =500V,I Ц =300A, R g =1.5Ω,V ГЭ =±15В, Ls=25нГ,T ж =125 O Ц

81

н

t R

Күтерілу уақыты

34

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

411

н

t F

Күз мезгілі

397

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.40

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =500V,I Ц =300A, R g =1.5Ω,V ГЭ =±15В, Ls=25нГ,T ж =150 O Ц

82

н

t R

Күтерілу уақыты

36

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

425

н

t F

Күз мезгілі

434

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.90

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

35.2

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.70

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.70

Q R

Алынған айыппұл

V R =500V,I F =300A,

-di⁄dt=10600A⁄μs,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =25 O Ц

15.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

391

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

9.40

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =500V,I F =300A,

-di⁄dt=9600A⁄μs,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =125 O Ц

24.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

457

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

18.4

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9500A/μs,V ГЭ =-15В Ls=25нГ,T ж =150 O Ц

29.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

488

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

23.2

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

△ p

Салқындату контурындағы қысымның төмендеуі қайырма

△ V/ △ t=10,0 dm 3/Минуты ;t F =25 O Ц ;Салқындату Сұйық=50% Су/50% Этиленгликоль

100

мбар

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

2.5

бар

L CE

Айналадағы индуктивтілік

14

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.80

mΩ

R ТЖЖ

Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT ) Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од)

0.100 0.125

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 6.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

1250

g