IGBT Модулі 1700V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

648

400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

800

А

p D

Максималды қуат тарату t =175 O Ц

2380

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.85

2.20

V

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.25

I Ц = 400А,В ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 16,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.88

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

48.2

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.17

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15В...+15В

3.77

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R g =0.82Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

204

н

t R

Күтерілу уақыты

38

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

425

н

t F

Күз мезгілі

113

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

97.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

84.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R g =0.82Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

208

н

t R

Күтерілу уақыты

50

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

528

н

t F

Күз мезгілі

184

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

141

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

132

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =400А, R g =0.82Ω,V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

216

н

t R

Күтерілу уақыты

50

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

544

н

t F

Күз мезгілі

204

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

161

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

137

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 100V, V КЕМ ≤1700В

1600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =125 O Ц

1.90

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =150 O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =400А,

-di/dt=8800A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

116

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

666

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

63.8

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =400А,

-di/dt=8800A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =125 O Ц

187

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

662

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

114

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =400А,

-di/dt=8800A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =150 O Ц

209

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

640

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

132

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.063

0.105

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.032

0.053

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g