IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

GD3600SGT120C4S

Блоктар

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

V

I Ц

@ Т Ц =25 °C

@ Т Ц =80 °C

4800

А

3600

I CM (1)

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

7200

А

I F

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

3600

А

I Fm

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасы жалға алу

7200

А

p D

Максималды қуаттылық ж =17 5°C

16.7

кВт

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

V

Орнату

Сигнал терминалы Шраф:M4

1.8 дейін 2.1

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-ден 10

Н.М

Торк

Орнату Шраф:M6

4.25-ге дейін 5.75

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V (BR )CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

t ж =25 °C

1200

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 °C

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 °C

400

nA

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

Кернеу

I Ц =145 mА ,V CE = V ГЭ ,t ж =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =3600A,V ГЭ =15В, t ж =25 °C

1.70

2.15

V

I Ц =3600A,V ГЭ =15В, t ж =125 °C

2.00

2.45

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

35.0

μC

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

t ж =25 °C

0.5

Ω

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =3600A, R Қон =0.8Ω,

R Гофф =0.2Ω,

V ГЭ = ± 15В,Т ж =25 °C

600

н

t R

Күтерілу уақыты

235

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

825

н

t F

Күз мезгілі

145

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу жоғалту

/

МЖ

E Ашылған

Ашылғанда ауысу шығыны

/

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =3600A, R Қон =0.8Ω,

R Гофф =0.2Ω,

V ГЭ = ± 15В,Т ж =125 °C

665

н

t R

Күтерілу уақыты

215

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

970

н

t F

Күз мезгілі

180

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу жоғалту

736

МЖ

E Ашылған

Ашылғанда ауысу шығыны

569

МЖ

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

258

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

13.5

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

11.7

НФ

I SC

SC деректері

t с Ц ≤ 10 мс,В ГЭ =15В, t ж =125 °C V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

14000

А

L CE

Айналадағы индуктивтілік

10

nH

R CC + EE ’

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.12

м Ω

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =3600A

t ж =25 °C

1.65

2.15

V

t ж =125 °C

1.65

2.15

Q R

Алынған айыппұл

I F =3600A,

V R =600В,

R Қон =0.8Ω,

V ГЭ =- 15В

t ж =25 °C

360

μC

t ж =125 °C

670

I RM

Қайта қалпына келтіру Жүк

t ж =25 °C

2500

А

t ж =125 °C

3200

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

t ж =25 °C

97

МЖ

t ж =125 °C

180

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Блоктар

R θ ЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

9.0

K/kW

R θ ЖК

Диафрагма-Қорап (әр Дио үшін de)

15.6

K/kW

R θ КС

Қаптамадан суға құюға

(Жүргізуші майы қолданылған, әр M үшін одуль)

4

K/kW

Салмақ

Салмақ туралы Модуль

2250

g