GD300HFQ120C2SD, IGBT Модуль, STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 300А.

Ерекшеліктер

Төмен VCE(sat) Тенч IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
VCE (sat) с оң Температура Коеффициент
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

Қосқыш режиміндегі қуат көзі
Индуктивті қыздыру
Электронды дәнекерлеуші

Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц =95 O Ц	452 300	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	600	А
p D	Максималды қуаттылық vj =175 O Ц	1724	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	1200	V
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	300	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	600	А

Модуль

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
t vjmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t vjop	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин	2500	V

IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =300A,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц		1.85	2.30	V
		I Ц =300A,V ГЭ =15В, t vj =125 O Ц		2.25
		I Ц =300A,V ГЭ =15В, t vj =150 O Ц		2.35
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =7.50 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц	5.2	6.0	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			2.5		Ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		31.1		НФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		0.87		НФ
Q g	Қақпалық төлем	V ГЭ =-15...+15В		2.33		μC
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =300A, R g =1.6Ом, Ls=45нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =25 O Ц		200		н
t R	Күтерілу уақыты			47		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			245		н
t F	Күз мезгілі			65		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			20.8		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			9.15		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =300A, R g =1.6Ом, Ls=45нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =125 O Ц		206		н
t R	Күтерілу уақыты			49		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			280		н
t F	Күз мезгілі			94		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			29.9		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			12.5		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =300A, R g =1.6Ом, Ls=45нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =150 O Ц		209		н
t R	Күтерілу уақыты			51		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			295		н
t F	Күз мезгілі			105		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			35.1		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			13.6		МЖ
I SC	SC деректері	t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, t vj =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В		1200		А

Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Блоктар
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц		1.85	2.30	V
		I F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =125 O Ц		1.90
		I F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =150 O Ц		1.95
Q R	Қайта қалпына келтірілген заряд	V R = 600В,I F =300A, -ди/дt=5570А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =45 nH ,t vj =25 O Ц		28.2		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			287		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			8.81		МЖ
Q R	Қайта қалпына келтірілген заряд	V R = 600В,I F =300A, -di/dt=4930A/μs,V ГЭ =-15V, LS =45 nH ,t vj =125 O Ц		44.3		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			295		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			14.3		МЖ
Q R	Қайта қалпына келтірілген заряд	V R = 600В,I F =300A, -di/dt=4580A/μs,V ГЭ =-15V, LS =45 nH ,t vj =150 O Ц		50.2		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			300		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			16.0		МЖ

Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік			20	nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке		0.35		mΩ
R ТЖК	Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.087 0.153	К/W
R ТХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)		0.031 0.055 0.010		К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		300		g