IGBT Модуль, 1200В 300А, Упаковка: C6
Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 300А.
Ерекшеліктер
Типілік қолданулар
Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I Ц |
Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц |
320 300 |
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
600 |
А |
p D |
Максималды қуаттылық ж =175 O Ц |
1063 |
W |
Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
бірлік |
V РРМ |
Қайталау Пик Кері Кернеу жас |
1200 |
V |
I F |
Диодты үздіксіз алға қарай рент |
300 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
600 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
бірлік |
t jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
O Ц |
t жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
O Ц |
t ЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
O Ц |
V ISO |
Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
бірлік |
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц |
|
1.40 |
1.85 |
V |
I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц |
|
1.60 |
|
|||
I Ц =300A,V ГЭ =15В, t ж =175 O Ц |
|
1.60 |
|
|||
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц =8 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк |
V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц |
|
|
1.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
1.5 |
|
Ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В |
|
51.5 |
|
НФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
0.36 |
|
НФ |
|
Q g |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =-15 ...+15В |
|
4.50 |
|
μC |
t D (ҚОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =300A, R g =1.5Ω,Ls=32нГ, V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц |
|
405 |
|
н |
t R |
Күтерілу уақыты |
|
83 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
586 |
|
н |
|
t F |
Күз мезгілі |
|
129 |
|
н |
|
E ҚОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
34.3 |
|
МЖ |
|
E Ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
19.3 |
|
МЖ |
|
t D (ҚОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =300A, R g =1.5Ω,Ls=32нГ, V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц |
|
461 |
|
н |
t R |
Күтерілу уақыты |
|
107 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
676 |
|
н |
|
t F |
Күз мезгілі |
|
214 |
|
н |
|
E ҚОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
48.0 |
|
МЖ |
|
E Ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
26.6 |
|
МЖ |
|
t D (ҚОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =300A, R g =1.5Ω,Ls=32нГ, V ГЭ =±15В, t ж =175 O Ц |
|
518 |
|
н |
t R |
Күтерілу уақыты |
|
124 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
738 |
|
н |
|
t F |
Күз мезгілі |
|
264 |
|
н |
|
E ҚОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
58.1 |
|
МЖ |
|
E Ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
31.7 |
|
МЖ |
|
I SC |
SC деректері |
t p ≤7мс, V ГЭ =15В, t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В |
|
1150 |
|
А |
t p ≤6μс, V ГЭ =15В, t ж =175 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В |
|
1110 |
|
А |
Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Блоктар |
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц |
|
1.60 |
2.00 |
V |
I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц |
|
1.60 |
|
|||
I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 75O Ц |
|
1.50 |
|
|||
Q R |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =300A, -ди/дт=3135А/мс,V ГЭ =-15V, Ls=32нГ,T ж =25 O Ц |
|
19.1 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
140 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру энергия |
|
4.92 |
|
МЖ |
|
Q R |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =300A, -ди/дт=2516А/мс,V ГЭ =-15В Ls=32нГ,T ж =125 O Ц |
|
33.7 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
159 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру энергия |
|
9.35 |
|
МЖ |
|
Q R |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =300A, -ди/дт=2204А/мс,V ГЭ =-15В Ls=32нГ,T ж =175 O Ц |
|
46.8 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
171 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру энергия |
|
13.7 |
|
МЖ |
НТК Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
p 25 |
Күш Диссипация |
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
бірлік |
L CE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
21 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі нц,Терминалге дейін |
|
1.80 |
|
mΩ |
R ТЖК |
Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од) |
|
|
0.141 0.243 |
К/W |
R ТХ |
әрекет -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT )Корпус-радиатор (pe r Диод) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль) |
|
0.085 0.147 0.009 |
|
К/W |
м |
Тіркемелік бұранда:M6 |
3.0 |
|
6.0 |
Н.М |
g |
Салмақ туралы Модуль |
|
300 |
|
g |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.