GD275MJS120L6S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I КН

Жүзеге асқан Коллектор C ток

275

А

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =100 O Ц

110

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

450

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I БФ

Жүзеге асқан Алдыңғы Ток нент

275

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

450

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I БФ

Жүзеге асқан Алдыңғы Ток нент

275

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

225

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

450

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I БФ

Жүзеге асқан Алдыңғы Ток нент

275

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

450

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

3200

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

2.00

2.45

V

I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.70

I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.90

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =9.00 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.7

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

38.1

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.66

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

2.52

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =225A, R g =2Ω,V ГЭ =-8/+15V, L с =36 nH ,t ж =25 O Ц

154

н

t R

Күтерілу уақыты

45

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

340

н

t F

Күз мезгілі

76

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

13.4

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

8.08

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =225A, R g =2Ω,V ГЭ =-8/+15V, L с =36 nH ,t ж =125 O Ц

160

н

t R

Күтерілу уақыты

49

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

388

н

t F

Күз мезгілі

112

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.6

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

11.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =225A, R g =2Ω,V ГЭ =-8/+15V, L с =36 nH ,t ж =150 O Ц

163

н

t R

Күтерілу уақыты

51

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

397

н

t F

Күз мезгілі

114

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

18.7

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

12.0

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.60

2.05

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.60

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.60

Q R

Қайта қалпына келтірілген заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=5350А/мкс,V ГЭ =-8В L с =36 nH ,t ж =25 O Ц

20.1

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

250

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

6.84

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=5080А/мкс,V ГЭ =-8В L с =36 nH ,t ж =125 O Ц

32.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

277

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

11.5

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген заряд

V R = 600В,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V ГЭ =-8В L с =36 nH ,t ж =150 O Ц

39.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

288

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

14.0

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =225A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.60

2.05

V

I F =225A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.60

I F =225A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.60

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.60

2.05

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.60

I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.60

Q R

Қайта қалпына келтірілген заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=5050А/мкс,V ГЭ =-8В L с =30 nH ,t ж =25 O Ц

18.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

189

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

5.62

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=4720А/μс,V ГЭ =-8В L с =30 nH ,t ж =125 O Ц

34.1

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

250

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

11.4

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=4720А/μс,V ГЭ =-8В L с =30 nH ,t ж =150 O Ц

38.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

265

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

13.2

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

энергия дыбысы

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R ТЖК

Жалама-қорытынды (T1 бойынша -T4 IGBT) Жалама-қорытынды (D1/D4 D бойынша йод) Жалама-қорытынды (D2/D3 D бойынша йод) Жалама-қорытынды (D5/D6 D бойынша йод)

0.070 0.122 0.156 0.122

К/W

R ТХ

Қорытынды-Жылық қабырғасына (T бойынша 1-T4 IGBT) Қорытынды-Жылық қабырғасына (D1/D4 бойынша Диод) Қорытынды-Жылық қабырғасына (D2/D3 бойынша Диод) Қорытынды-Жылық қабырғасына (D5/D6 бойынша Диод)

0.043 0.053 0.069 0.053

К/W

м

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

250

g