GD2400SGX170C4S, IGBT Модульі,Үлкен токтық IGBT модулы, STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,STARPOWER жасады. 1 700V 2400А ,C4 .

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

Жоғары қуаттылық конвертерлері
Мотор жетектер

Абсолютті Максимум Рейтингтер t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1700	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =100 O Ц	2400	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	4800	А
p D	Максималды қуаттылық ж =175 O Ц	15.8	кВт

Диод

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	1700	V
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	2400	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	4800	А
I FSM	Қозғалыс токы V R =0В,Т p =10мс, @T ж =25 O Ц @T ж =150 O Ц	18.65 15.25	kA
I 2t	I 2t-құндылығы,V R =0В,Т p =10м с,T ж =25 O Ц I 2t-құндылығы,V R =0В,Т p =10 мс ,T ж =150 O Ц	1739 1162	kA 2с

Модуль

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
t jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин	4000	V

IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, t ж =25 O Ц		1.85	2.30	V
		I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, t ж =125 O Ц		2.25
		I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, t ж =150 O Ц		2.35
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =96.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц			5.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпа кедергісі			0.6		Ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В		285		НФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В		7.13		НФ
Q g	Қақпалық төлем	V ГЭ =-15...+15В		23.5		μC
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =900V,I Ц =2400А, R g =0,82Ω, L с =32 nH ,V ГЭ =-9В/+15В, t ж =25 O Ц		609		н
t R	Күтерілу уақыты			232		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			1676		н
t F	Күз мезгілі			192		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			784		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			785		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =900V,I Ц =2400А, R g =0,82Ω, L с =32 nH ,V ГЭ =-9В/+15В, t ж =125 O Ц		732		н
t R	Күтерілу уақыты			280		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			2171		н
t F	Күз мезгілі			243		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			1350		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			1083		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =900V,I Ц =2400А, R g =0,82Ω, L с =32 nH ,V ГЭ =-9В/+15В, t ж =150 O Ц		772		н
t R	Күтерілу уақыты			298		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			2294		н
t F	Күз мезгілі			298		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			1533		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			1126		МЖ
I SC	SC деректері	t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, t ж =150 O C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В		10.5		kA

Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F = 2400А,В ГЭ =0В,Т ж = 25O Ц		1.80	2.25	V
		I F = 2400А,В ГЭ =0В,Т ж =125 O Ц		1.90
		I F = 2400А,В ГЭ =0В,Т ж =150 O Ц		1.95
Q R	Алынған айыппұл	V R =900V,I F =2400А, -жүрек/с=9570А/мкс,V ГЭ =-9В, L с =32 nH ,t ж =25 O Ц		243		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			1656		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			274		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R =900V,I F =2400А, -жүрек/с=7500А/мкс,V ГЭ =-9В, L с =32 nH ,t ж =125 O Ц		425		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			1692		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			438		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R =900V,I F =2400А, -жүрек/с=6990А/мкс,V ГЭ =-9В, L с =32 nH ,t ж =150 O Ц		534		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			1809		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			563		МЖ

Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		6.0		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		0.10		mΩ
R ТЖК	Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)			9.5 15.8	K/kW
R ТХ	әрекет -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT )Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)		6.4 10.7 4.0		K/kW
D Жүрекке сырғанау	Терминал-қырғызушыға Терминал-терминал арасында		32.2 32.2		мм
D таза	Терминал-қырғызушыға Терминал-терминал арасында		19.1 19.1		мм
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		2060		g