GD225HFX120C6SA, IGBT Модуль, STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 225А.

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
Бөлінбейтін қуат көзі

Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц	368 225	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	450	А
p D	Максималды қуаттылық ж =175 O Ц	1229	W

Диод

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	1200	V
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	225	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	450	А

Модуль

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
t jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин	2500	V

IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц		1.70	2.15	V
		I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц		1.95
		I Ц =225A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц		2.00
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =5.63 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц	5.2	6.0	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			1.7		Ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		23.3		НФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		0.65		НФ
Q g	Қақпалық төлем	V ГЭ =-15 ...+15В		1.75		μC
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =225A, R g =1,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц		171		н
t R	Күтерілу уақыты			43		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			391		н
t F	Күз мезгілі			72		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			7.3		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			17.5		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =225A, R g =1,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц		182		н
t R	Күтерілу уақыты			43		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			484		н
t F	Күз мезгілі			93		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			13.4		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			27.3		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =225A, R g =1,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц		193		н
t R	Күтерілу уақыты			43		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			515		н
t F	Күз мезгілі			103		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			16.1		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			30.4		МЖ
I SC	SC деректері	t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В		900		А

Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =225A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц		1.85	2.30	V
		I F =225A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц		1.90
		I F =225A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц		1.95
Q R	Алынған айыппұл	V CC = 600В,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V ГЭ =-15V, t ж =25 O Ц		25.9		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			345		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			11.8		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V CC = 600В,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V ГЭ =-15V, t ж =125 O Ц		49.5		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			368		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			21.6		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V CC = 600В,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V ГЭ =-15V, t ж =150 O Ц		56.4		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			391		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			24.5		МЖ

НТК Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
R 25	Атаулы кедергі			5.0		kΩ
∆R/R	Ауыспалы туралы R 100	t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Күш Диссипация				20.0	мW
Б 25/50	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3375		К
Б 25/80	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3411		К
Б 25/100	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		20		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		1.10		mΩ
R ТЖК	Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.122 0.188	К/W
R ТХ	әрекет -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT ) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)		0.030 0.046 0.009		К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5	3.0 3.0		6.0 6.0	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		350		g