IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 100O Ц

339

200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

400

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

1456

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

75

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p = 1 мс

150

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =95 O Ц

158

100

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

200

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

441

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

650

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

100

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p = 1 мс

200

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, t ж =25 O Ц

1.40

1.85

V

I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, t ж =125 O Ц

1.65

I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, t ж =150 O Ц

1.70

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =5.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

3.8

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.7

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.58

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.56

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц = 100А, R g = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

142

н

t R

Күтерілу уақыты

25

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

352

н

t F

Күз мезгілі

33

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.21

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

3.90

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц = 100А, R g = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

155

н

t R

Күтерілу уақыты

29

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

440

н

t F

Күз мезгілі

61

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.02

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

5.83

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц = 100А, R g = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

161

н

t R

Күтерілу уақыты

30

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

462

н

t F

Күз мезгілі

66

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.24

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

6.49

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =75А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I F =75А,В ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.65

I F =75А,В ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.65

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =75А,

-di/dt=3500A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

8.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

122

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

2.91

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =75А,

-di/dt=3500A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

17.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

143

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

5.72

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =75А,

-di/dt=3500A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц

19.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

152

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

6.30

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, t ж =25 O Ц

1.45

1.90

V

I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, t ж =125 O Ц

1.60

I Ц = 100А,В ГЭ = 15В, t ж =150 O Ц

1.70

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 1.60mA,V CE =V ГЭ , T ж =25 O Ц

5.0

5.8

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.0

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

11.6

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.23

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

0.69

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц = 100А, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

44

н

t R

Күтерілу уақыты

20

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

200

н

t F

Күз мезгілі

28

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.48

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

2.48

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц = 100А, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

48

н

t R

Күтерілу уақыты

24

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

216

н

t F

Күз мезгілі

40

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.24

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

3.28

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц = 100А, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

52

н

t R

Күтерілу уақыты

24

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

224

н

t F

Күз мезгілі

48

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.64

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

3.68

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤6μs,V ГЭ = 15В,

t ж =150 O C,V CC =360В, V КЕМ ≤650В

500

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 100А,В ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.55

2.00

V

I F = 100А,В ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.50

I F = 100А,В ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.45

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F = 100А,

-di/dt=4070A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

3.57

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

99

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

1.04

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F = 100А,

-di/dt=4070A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

6.49

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

110

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

1.70

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F = 100А,

-di/dt=4070A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц

7.04

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

110

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

1.81

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

ΔR/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц = 100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R ТЖК

Бөлшекпен байланысы (Т1 бойынша), Т4 IGBT)

Жалын-қоры (әр D1,D4 Dio үшін de)

Жалын-қоры (әр T2, T3 IGBT)

Жол-қабырға (D2,D3 Дио бойынша) de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T1,T4 IGBT)

Қабырға-Жар алыққа (D1,D4 бойынша) Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр T2,T3 IGBT)

Қабырға-Жар алыққа (D2,D3 бойынша) Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

К/W

F

Әр құның қуаты

40

80

Н

g

Салмақ туралы Модуль

39

g