GD200HFY120C8SN, IGBT Модуль, STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі , өнімді STARPOWER қызметкерлігімен жасады. 1200В 200А.

Қасиеттер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

I моторды басқару үшін инвертор
АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
Бөлінбейтін қуат көзі

Абсолютті Максимум Рейтингтер T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәндер	Бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц @ Т Ц = 100o Ц	400 200	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	400	А
P D	Максималды қуаттылық =175 o Ц	1578	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәндер	Бірлік
V РРМ	Қайталанатын ең жоғары кері кернеу	1200	V
I F	Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу	200	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	400	А

Модуль

Символ	Сипаттама	Мәндер	Бірлік
T jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	o Ц
T жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	o Ц
T ЖТГ	Сақтау температурасы Диапазон	-40-дан +125-ге дейін	o Ц
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты	2500	V

IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц		1.70	2.15	V
		I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц		1.95
		I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц		2.00
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =5.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц	5.2	6.0	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			3.8		ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		20.7		нФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		0.58		нФ
Q G	Қақпалық төлем	V ГЭ =- 15...+15В		1.55		μC
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц		150		н
t r	Күтерілу уақыты			32		н
t d (ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			330		н
t f	Күз мезгілі			93		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			11.2		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			11.3		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц		161		н
t r	Күтерілу уақыты			37		н
t d (ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			412		н
t f	Күз мезгілі			165		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			19.8		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			17.0		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц		161		н
t r	Күтерілу уақыты			43		н
t d (ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			433		н
t f	Күз мезгілі			185		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			21.9		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			19.1		мЖ
I SC	SC деректері	t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В, T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В		800		А

Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Блоктар
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц		1.65	2.10	V
		I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц		1.65
		I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц		1.65
Q r	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц		17.6		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			228		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			7.7		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125 o Ц		31.8		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			238		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			13.8		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150 o Ц		36.6		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			247		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			15.2		мЖ

Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік			22	nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		0.65		mΩ
R тЖК	Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.095 0.161	К/W
R тХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)		0.146 0.248 0.046		К/W
М	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, Болт M5	2.5 2.5		3.5 3.5	Н.М
G	Салмақ туралы Модуль		200		g