IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =100 O Ц

340

200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

1190

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =8.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

3.75

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.7

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.58

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.55

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

150

н

t R

Күтерілу уақыты

32

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

330

н

t F

Күз мезгілі

93

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

9.7

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

11.3

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

161

н

t R

Күтерілу уақыты

37

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

412

н

t F

Күз мезгілі

165

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

20.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

17.0

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

161

н

t R

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

433

н

t F

Күз мезгілі

185

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

22.4

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

19.1

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

800

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

2.40

2.90

V

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.95

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.80

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

20.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

160

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

8.0

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =125 O Ц

38.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

201

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

14.2

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =150 O Ц

44.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

212

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

15.6

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.126

0.211

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.032

0.053

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g