IGBT Модулі 1200V

GD200HFU120C8S, IGBT Модульі, STARPOWER

1200В 200А

Brand:

Жұлдызды қуат

Spu:

GD200HFU120C8S

Кіріспе
Нысан
Эквивалентті схемалық схема

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,өнімді STARPOWER қызметкерлігімен жасады. 1200В 200А.

Қасиеттер

NPT IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

Қосқыш режиміндегі қуат көзі
Индуктивті қыздыру
Электронды дәнекерлеуші

Абсолютті Максимум Рейтингтер T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц @ Т Ц =65 o Ц	262 200	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	400	А
P D	Максималды қуаттылық ж =150 o Ц	1315	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V РРМ	Қайталанатын ең жоғары кері кернеу	1200	V
I F	Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу	200	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	400	А

Модуль

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
T jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	150	o Ц
T жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +125-ге дейін	o Ц
T ЖТГ	Сақтау температурасы Диапазон	-40-дан +125-ге дейін	o Ц
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты	2500	V

IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц		3.00	3.45	V
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц		3.80		V
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =2.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц	4.4	5.3	6.0	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц			5.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			1.3		ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		13.0		нФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		0.85		нФ
Q G	Қақпалық төлем	V ГЭ =- 15...+15В		2.10		μC
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц		87		н
t r	Күтерілу уақыты			40		н
t d (ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			451		н
t f	Күз мезгілі			63		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			6.8		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			11.9		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц		88		н
t r	Күтерілу уақыты			44		н
t d (ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			483		н
t f	Күз мезгілі			78		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			11.4		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			13.5		мЖ
I SC	SC деректері	t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В, T ж =125 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В		1300		А

Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц		1.95	2.40	V
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =125 o Ц		2.00		V
Q r	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц		13.3		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			236		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			6.6		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125 o Ц		23.0		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			269		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			10.5		мЖ

Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
R тЖК	Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.095 0.202	К/W
R тХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)		0.135 0.288 0.046		К/W
М	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
G	Салмақ туралы Модуль		200		g