GD200HFQ120C2SD,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц

324

200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

А

p D

Максималды қуаттылық vj =175 O Ц

1181

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц

1.85

2.30

V

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t vj =125 O Ц

2.25

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t vj =150 O Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =8.00 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

3.8

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

21.6

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.59

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

1.68

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =4.7Ω, L с =45 nH , V ГЭ =±15В,Т vj =25 O Ц

100

н

t R

Күтерілу уақыты

72

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

303

н

t F

Күз мезгілі

71

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.11

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =4.7Ω, L с =45 nH , V ГЭ =±15В,Т vj =125 O Ц

99

н

t R

Күтерілу уақыты

76

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

325

н

t F

Күз мезгілі

130

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

33.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

8.58

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =4.7Ω, L с =45 nH , V ГЭ =±15В,Т vj =150 O Ц

98

н

t R

Күтерілу уақыты

80

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

345

н

t F

Күз мезгілі

121

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

36.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.05

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t vj =150 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

750

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =200A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц

1.85

2.30

V

I F =200A,V ГЭ =0В,Т vj =125 O Ц

1.90

I F =200A,V ГЭ =0В,Т vj =150 O Ц

1.95

Q R

Қайта қалпына келтірілген заряд

V R = 600В,I F =200A,

-ди/дt=1890А/мкс,V ГЭ =-15V, L с =45 nH ,t vj =25 O Ц

19.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

96

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

5.66

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген заряд

V R = 600В,I F =200A,

-ди/дt=1680А/мкс,V ГЭ =-15V, L с =45 nH ,t vj =125 O Ц

29.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

106

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

8.56

МЖ

Q R

Қайта қалпына келтірілген заряд

V R = 600В,I F =200A,

-ди/дt=1600А/мкс,V ГЭ =-15V, L с =45 nH ,t vj =150 O Ц

32.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

107

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

9.24

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R ТЖК

Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.127 0.163

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.036 0.046 0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g