GD200HFF120C8S, IGBT Модуль, STARPOWER

IGBT Модулі 1200V

GD200HFF120C8S,IGBT Модуль,STARPOWER

1200В 200А

Brand:

Жұлдызды қуат

Spu:

GD200HFF120C8S

Кіріспе
Нысан
Эквивалентті схемалық схема

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,өнімді STARPOWER қызметкерлігімен жасады. 1200В 200А.

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

Қосқыш режиміндегі қуат көзі
Индуктивті қыздыру
Электронды дәнекерлеуші

Абсолютті Максимум Рейтингтер t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц =85 O Ц	294 200	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	400	А
p D	Максималды қуаттылық ж =175 O Ц	1056	W

Диод

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
V РРМ	Қайталанатын ең жоғары кері кернеу	1200	V
I F	Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу	200	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	400	А

Модуль

Символ	Сипаттама	мәні	бірлік
t jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы Диапазон	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты	2500	V

IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц		1.90	2.35	V
		I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж = 125O Ц		2.40
		I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц		2.55
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =5.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц	5.2	6.0	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц			100	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			3.75		Ω
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R g =0.75Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц		374		н
t R	Күтерілу уақыты			50		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			326		н
t F	Күз мезгілі			204		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			13.8		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			10.4		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R g =0.75Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц		419		н
t R	Күтерілу уақыты			63		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			383		н
t F	Күз мезгілі			218		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			20.8		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			11.9		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R g =0.75Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц		419		н
t R	Күтерілу уақыты			65		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			388		н
t F	Күз мезгілі			222		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			22.9		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			11.9		МЖ

Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц		1.90	2.35	V
		I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц		1.90
		I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц		1.90
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц		10.2		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			90		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			3.40		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц		26.2		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			132		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			9.75		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц		30.4		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			142		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			11.3		МЖ

Модульдық Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік			26	nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		0.62		mΩ
R ТЖК	Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.142 0.202	К/W
R ТХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Корпус-радиатор (per M одуль)		0.157 0.223 0.046		К/W
м	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		200		g