GD200FFY120C6S, IGBT Модуль, STARPOWER

IGBT Модулі 1200V

GD200FFY120C6S,IGBT Модуль,STARPOWER

1200В 200А

Brand:

Жұлдызды қуат

Spu:

GD200FFY120C6S

Кіріспе
Нысан
Эквивалентті схемалық схема

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,өнімді STARPOWER қызметкерлігімен жасады. 1200В 200А.

Ерекшеліктер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
Максималдық жылдамдау температуры 175 °C
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

Бөлінбейтін қуат көзі
Индуктивті қыздыру
Дәнекерлеу машинасы

Абсолютті Максимум Рейтингтер t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц = 100O Ц	309 200	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	400	А
p D	Максималды қуаттылық =175 O Ц	1006	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
V РРМ	Қайталанатын ең жоғары кері кернеу	1200	V
I F	Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу	200	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	400	А

Модуль

Символ	Сипаттама	Мәндер	бірлік
t jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	O Ц
t жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	O Ц
t ЖТГ	Сақтау температурасы Диапазон	-40-дан +125-ге дейін	O Ц
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты	2500	V

IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц		1.70	2.15	V
		I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц		1.95
		I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц		2.00
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =5.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц	5.2	6.0	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			4.0		Ω
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R g = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц		150		н
t R	Күтерілу уақыты			32		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			330		н
t F	Күз мезгілі			93		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			11.2		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			11.3		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R g = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц		161		н
t R	Күтерілу уақыты			37		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			412		н
t F	Күз мезгілі			165		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			19.8		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			17.0		МЖ
t D (ҚОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =200A, R g = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц		161		н
t R	Күтерілу уақыты			43		н
t D (Ашылған )	Бұғаттау Кешіру уақыты			433		н
t F	Күз мезгілі			185		н
E ҚОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			21.9		МЖ
E Ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			19.1		МЖ
I SC	SC деректері	t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В, t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В		800		А

Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Блоктар
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц		1.65	2.10	V
		I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц		1.65
		I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц		1.65
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц		17.6		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			228		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			7.7		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =125 O Ц		31.8		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			238		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			13.8		МЖ
Q R	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =150 O Ц		36.6		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			247		А
E рек	Қайта қалпына келтіру энергия			15.2		МЖ

НТК Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
R 25	Атаулы кедергі			5.0		kΩ
ΔR/R	Ауыспалы туралы R 100	t Ц = 100 O C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Күш Диссипация				20.0	мW
Б 25/50	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3375		К
Б 25/80	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3411		К
Б 25/100	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		21		nH
R CC+EE	Модульдің жетек кедергісі е, Терминалдан чипке		1.80		mΩ
R ТЖК	Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.149 0.206	К/W
R ТХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Корпус-радиатор (per M одуль)		0.031 0.043 0.009		К/W
м	Тіркемелік бұранда:M6	3.0		6.0	Н.М
g	Салмақ туралы Модуль		300		g