IGBT Модулі 1200V

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц =85 O Ц

294

200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

А

p D

Максималды қуаттылық =175 O Ц

1056

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.90

2.35

V

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж = 125O Ц

2.40

I Ц =200A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.55

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =5.0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

100

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

3.75

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.7

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.58

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.55

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =0.75Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

374

н

t R

Күтерілу уақыты

50

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

326

н

t F

Күз мезгілі

204

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

13.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

10.4

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =0.75Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 125O Ц

419

н

t R

Күтерілу уақыты

63

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

383

н

t F

Күз мезгілі

218

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

20.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

11.9

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =200A, R g =0.75Ω,V ГЭ =±15В, t ж = 150O Ц

419

н

t R

Күтерілу уақыты

65

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

388

н

t F

Күз мезгілі

222

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

22.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

11.9

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.90

2.35

V

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

1.90

I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

1.90

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ГЭ =- 15В t ж =25 O Ц

10.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

90

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

3.40

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 125O Ц

26.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

132

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

9.75

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ГЭ =- 15В t ж = 150O Ц

30.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

142

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

11.3

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.25

mΩ

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.142

0.202

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.034

0.048

0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g