GD150PIY120C6SN,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц

292

150

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

1111

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1600

V

I O

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

150

А

I FSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T ж =2 5O Ц @ Т ж =150 O Ц

1600

1400

А

I 2t

I 2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25 O Ц @ Т ж =150 O Ц

13000

9800

А 2с

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц

200

100

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

833

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

50

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

100

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Максималды жылдамдау температуры (инвертор, тормоз) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =150A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =150A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =150A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =6.00 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.0

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

15.5

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.44

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.17

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =150A, R g =1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

96

н

t R

Күтерілу уақыты

30

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

255

н

t F

Күз мезгілі

269

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.59

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

12.3

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =150A, R g =1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

117

н

t R

Күтерілу уақыты

37

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

307

н

t F

Күз мезгілі

371

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

13.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.8

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =150A, R g =1. 1Ω,V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

122

н

t R

Күтерілу уақыты

38

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

315

н

t F

Күз мезгілі

425

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

14.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

18.1

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =150A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.85

2.25

V

I F =150A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.90

I F =150A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=4750А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =25 O Ц

8.62

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

177

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

5.68

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=3950А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =125 O Ц

16.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

191

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

10.2

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=3750А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =150 O Ц

19.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

196

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

12.1

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I Ц =150A, t ж =150 O Ц

1.00

V

I R

Кері ток

t ж =150 O C,V R =1600V

3.0

mА

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =100A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =100A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =100A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4.00 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

7.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

10.4

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.08

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R g =1,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

170

н

t R

Күтерілу уақыты

32

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

360

н

t F

Күз мезгілі

86

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

5.90

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.05

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R g =1,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

180

н

t R

Күтерілу уақыты

42

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

470

н

t F

Күз мезгілі

165

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

9.10

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.35

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R g =1,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

181

н

t R

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

480

н

t F

Күз мезгілі

186

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

10.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

10.5

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =50A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.85

2.30

V

I F =50A,V ГЭ =0В,Т ж =125 O Ц

1.90

I F =50A,V ГЭ =0В,Т ж =150 O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =50А,

-ди/дt=1400А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =25 O Ц

6.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

62

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

1.67

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =50А,

-ди/дt=1400А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =125 O Ц

10.1

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

69

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

2.94

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =50А,

-ди/дt=1400А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =150 O Ц

11.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

72

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

3.63

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

40

nH

R CC+EE R АА + CC ’

Модульдің қорғасын кедергісі нц,Терминалге дейін

4.00 3.00

mΩ

R ТЖК

Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT -Инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік) Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT -Тежегіш )

Жалын-қорытынды (әр Диод-б ағайын)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

К/W

R ТХ

әрекет -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT -Инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) әрекет -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT -Тежегіш )

Корпус-к охлаждающей пластине (на Дио де-тормоз) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

К/W

м

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М