GD150HFX170C1S, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц =95 O Ц

229

150

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

815

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =150A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.85

2.30

V

I Ц =150A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

2.25

I Ц =150A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =6,0 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

5.0

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

18.1

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.44

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.41

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =150A, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, L с =70 nH , t ж =25 O Ц

303

н

t R

Күтерілу уақыты

75

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

417

н

t F

Күз мезгілі

352

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

42.3

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

25.3

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =150A, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, L с =70 nH ,t ж =125 O Ц

323

н

t R

Күтерілу уақыты

88

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

479

н

t F

Күз мезгілі

509

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

58.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

34.9

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =150A, R g =3.3Ω,V ГЭ =±15В, L с =70 nH ,t ж =150 O Ц

327

н

t R

Күтерілу уақыты

90

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

498

н

t F

Күз мезгілі

608

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

65.6

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

40.2

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =150A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F =150A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.90

I F =150A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=1510A/μs,V ГЭ =-15В L с =70 nH , t ж =25 O Ц

26.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

131

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

21.6

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=1280A/μs,V ГЭ =-15В L с =70nH, T ж =125 O Ц

48.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

140

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

40.1

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-ди/дt=1240A/μs,V ГЭ =-15В L с =70nH, T ж =150 O Ц

52.3

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

142

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

42.5

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.65

mΩ

R ТЖК

Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.184 0.368

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.150 0.300 0.050

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

150

g