GD150HFU120C8SD ,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц @ Т Ц =85 O Ц

238

150

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

А

p D

Максималды қуаттылық vj =150 O Ц

1237

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

O Ц

t vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =150A,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц

2.90

3.35

V

I Ц =150A,V ГЭ =15В, t vj =125 O Ц

3.60

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =3.0 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц

5.0

6.1

7.0

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.50

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =30В,f=1МГц, V ГЭ =0В

19.2

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.60

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

1.83

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =150A, R g =6.8Ω,Ls=35нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =25 O Ц

183

н

t R

Күтерілу уақыты

73.8

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

438

н

t F

Күз мезгілі

33.0

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.8

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

5.31

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =150A, R g =6.8Ω,Ls=35нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =125 O Ц

185

н

t R

Күтерілу уақыты

74

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

476

н

t F

Күз мезгілі

44.5

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

15.5

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

7.74

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t vj =125 O C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

975

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =150A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц

1.85

2.30

V

I F =150A,V ГЭ =0В,Т vj =125 O Ц

1.90

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дт=2232А/мкс,Ls=35нГ, V ГЭ =-15V, t vj =25 O Ц

11.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

113

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

4.02

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дт=2118А/мкс,Ls=35нГ, V ГЭ =-15V, t vj =125 O Ц

22.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

139

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

8.58

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R ТЖК

Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.101 0.257

К/W

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.028 0.071 0.010

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g