Барлық категориялар

IGBT Модулі 1700V

IGBT Модулі 1700V

басты бет /  Өнімдер /  IGBT модулі /  IGBT Модулі 1700V

GD1200HFX170C3S,IGBT Модуль,Улттық токтың IGBT модулі,STARPOWER

1700В 1200А, A3

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD1200HFX170C3S
  • Кіріспе
  • Нысан
  • Эквивалентті схемалық схема
Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,STARPOWER жасады. 1 700V 1200А ,A3 .

Ерекшеліктер

  • Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
  • 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
  • Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
  • Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
  • Төмен индуктивтілік корпусы
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
  • DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

  • Жоғары қуаттылық конвертерлері
  • Мотор жетектер
  • Жел турбиналары

Абсолютті Максимум Рейтингтер t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц

1965

1200

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

2400

А

p D

Максималды қуаттылық vj =175 O Ц

6.55

кВт

Диод

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

1200

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

2400

А

Модуль

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

IGBT Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =1200А,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц

1.85

2.30

V

I Ц =1200А,V ГЭ =15В, t vj =125 O Ц

2.25

I Ц =1200А,V ГЭ =15В, t vj =150 O Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =48.0 ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц

5.0

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.6

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

142

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

3.57

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

11.8

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V,

L с =110нГ,T vj =25 O Ц

700

н

t R

Күтерілу уақыты

420

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1620

н

t F

Күз мезгілі

231

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

616

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

419

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V,

L с =110нГ,T vj =125 O Ц

869

н

t R

Күтерілу уақыты

495

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1976

н

t F

Күз мезгілі

298

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

898

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

530

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V,

L с =110нГ,T vj =150 O Ц

941

н

t R

Күтерілу уақыты

508

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

2128

н

t F

Күз мезгілі

321

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

981

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

557

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t vj =150 O Ц ,V CC =1000V,

V КЕМ ≤1700В

4800

А

Диод Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =1200А,V ГЭ =0В,Т vj =25 O Ц

1.80

2.25

V

I F =1200А,V ГЭ =0В,Т vj =125 O Ц

1.90

I F =1200А,V ГЭ =0В,Т vj =150 O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =1200A,

-ди/дt=2430А/мкс,V ГЭ =-10V, L с =110нГ,T vj =25 O Ц

217

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

490

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

108

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =1200A,

-ди/дt=2070А/мкс,V ГЭ =-10V, L с =110нГ,T vj =125 O Ц

359

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

550

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

165

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =1200A,

-ди/дт=1970А/μс,V ГЭ =-10V, L с =110нГ,T vj =150 O Ц

423

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

570

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

200

МЖ

Модуль Характеристикалар t Ц =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.37

R ТЖК

Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

22.9 44.2

K/kW

R ТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

18.2 35.2 6.0

K/kW

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

1500

g

Нысан

Эквивалентті схемалық схема

Тегін баға алу

Біздің өкіл сізбен жақын арада байланысады.
Email
Аті
Компания атауы
Хабар
0/1000

БАЙЛАНЫСЫ БАР ӨНІМ

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Бағамны алу

Тегін баға алу

Біздің өкіл сізбен жақын арада байланысады.
Email
Аті
Компания атауы
Хабар
0/1000