GD100PIX120C6SNA, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц

155

100

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

511

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1600

V

I O

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

100

А

I FSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T ж = 25O Ц @ Т ж =150 O Ц

1150

880

А

I 2t

I 2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25 O Ц @ Т ж =150 O Ц

6600

3850

А 2с

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O C @ T Ц =100 O Ц

87

50

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

100

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

308

W

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

25

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

50

А

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t jmax

Максималды жылдамдау температуры (инвертор, тормоз) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

O Ц

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =100A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =100A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =100A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4.00 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

7.5

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

10.4

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.78

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R g =1,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

218

н

t R

Күтерілу уақыты

35

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

287

н

t F

Күз мезгілі

212

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

9.23

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.85

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R g =1,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

242

н

t R

Күтерілу уақыты

41

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

352

н

t F

Күз мезгілі

323

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

13.6

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.95

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =100A, R g =1,6Ω,V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

248

н

t R

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

365

н

t F

Күз мезгілі

333

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

14.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

10.5

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =100A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.85

2.30

V

I F =100A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25O Ц

1.90

I F =100A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-di/dt=2500А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =25 O Ц

5.89

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

103

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

3.85

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-di/dt=2100А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =125 O Ц

13.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

109

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

6.64

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =100A,

-di/dt=1950А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =150 O Ц

15.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

109

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

7.39

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =100A, t ж =150 O Ц

0.95

V

I R

Кері ток

t ж =150 O C,V R =1600V

2.0

mА

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =50A,V ГЭ =15В, t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =50A,V ГЭ =15В, t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =50A,V ГЭ =15В, t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =2.00 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

5.18

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.15

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.39

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =50А, R g =15Ом,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

171

н

t R

Күтерілу уақыты

32

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

340

н

t F

Күз мезгілі

82

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

6.10

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.88

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =50А, R g =15Ом,V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

182

н

t R

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

443

н

t F

Күз мезгілі

155

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.24

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.43

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =50А, R g =15Ом,V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

182

н

t R

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

464

н

t F

Күз мезгілі

175

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.99

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

4.94

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =25A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

1.85

2.30

V

I F =25A,V ГЭ =0В,Т ж =125 O Ц

1.90

I F =25A,V ГЭ =0В,Т ж =150 O Ц

1.95

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=900А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =25 O Ц

2.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

55

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

0.93

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=900А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =125 O Ц

5.1

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

58

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

1.72

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=900А/мкс,V ГЭ =-15В t ж =150 O Ц

5.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

60

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

2.01

МЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

40

nH

R CC+EE R АА + CC ’

Модульдің қорғасын кедергісі нц,Терминалге дейін

4.00 3.00

mΩ

R ТЖК

Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT -Инвертор )

Жалама-қабына (әр Диод-invert ер)

Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік)

Бөлшеуіш -дейін -әрекет (perIGBT -Тежегіш -Чоппер ) Жолақы-қорап (әр Диод-тормоз-жылық) әр

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

К/W

R ТХ

әрекет -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT -Инвертор )

Корпус-к охлаждающей пластине (на диод-в) verter)

Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші)

әрекет -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT -Тежегіш -Чоппер )Корпус-к охлаждающей пластине (на диод-тормозной- рубленый сигнал) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

К/W

м

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

300

g