Барлық санаттар

IGBT Модуль 750V

IGBT Модуль 750V

Басты бет /  Өнімдер  /  IGBT модулі /  IGBT Модуль 750V

GD1000HTA75P6HT

750V 1000A,

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD1000HTA75P6HT
Appurtenance:

Өнім брошюрасы:ЖҮКТЕУ

  • Кіріспе
  • Нысан
  • Эквивалентті схемалық схема
Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 750V 1000А ,P6 .

Ерекшеліктер

  • Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
  • Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
  • 6 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
  • Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
  • Максималдық жылдамдау температуры 175 °C
  • Төмен индуктивтілік корпусы
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
  • Изоляция пинфин медной пластинки с использованием технологий Si3N4 AMB

Типілік қолданулар

  • Автомобиль өнеркәсібіне арналған
  • Гибридтік және электрлік көлік
  • Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор

Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

750

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I КН

Коллекторды іске асыру рент

1000

А

I Ц

Коллектор токы @ T F =125 O Ц

450

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

2000

А

p D

Максималды қуат тарату ация @ t F =75 O Ц t vj =175 O Ц

1282

W

Диод

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

750

V

I БФ

Коллекторды іске асыру рент

1000

А

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

2000

А

Модуль

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

t vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

O Ц

t vjop

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

O Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты

2500

V

D Жүрекке сырғанау

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

9.0 9.0

мм

D таза

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

4.5 4.5

мм

IGBT Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t vj =25 O Ц

1.10

1.35

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t vj =150 O Ц

1.10

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t vj =175 O Ц

1.10

I Ц =1000A,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц

1.40

I Ц =1000A,V ГЭ =15В, t vj =175 O Ц

1.60

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =12.9 ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц

5.5

6.4

7.0

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц

1.0

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.2

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В

66.7

НФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.50

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.35

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V CE =400V,I Ц =450А, V ГЭ =-15...+15В

4.74

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А,

R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V,

L с =24nH, T vj =25 O Ц

244

н

t R

Күтерілу уақыты

61

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

557

н

t F

Күз мезгілі

133

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

11.0

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

22.8

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А,

R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V,

L с =24nH, T vj =150 O Ц

260

н

t R

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

636

н

t F

Күз мезгілі

226

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

16.9

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.2

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А,

R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V,

L с =24nH, T vj =175 O Ц

264

н

t R

Күтерілу уақыты

70

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

673

н

t F

Күз мезгілі

239

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.2

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

33.6

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤6μс, V ГЭ =15В,

t vj =25 O C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

4900

А

t p ≤3μс, V ГЭ =15В,

t vj =175 O C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

3800

Диод Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц

1.40

1.65

V

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =150 O Ц

1.35

I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =175 O Ц

1.30

I F =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =25 O Ц

1.80

I F =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =175 O Ц

1.80

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=7809А/μс,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t vj =25 O Ц

18.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

303

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

3.72

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=6940А/μс,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t vj =150 O Ц

36.1

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

376

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

8.09

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=6748А/μс,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t vj =175 O Ц

40.1

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

383

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

9.01

МЖ

НТК Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Модуль Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.75

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

t негізгі тақта <40 O Ц

t негізгі тақта >40 O Ц

(относительное басық)

2.5 2.0

бар

R ТЖЖ

Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) V/ t=10,0 dm 3/Минуты ,t F =75 O Ц

0.068 0.105

0.078 0.120

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

g

Салмақ туралы Модуль

750

g

Нысан

Эквивалентті схемалық схема

Тегін баға алу

Біздің өкіл сізбен жақын арада байланысады.
Email
Аты
Компанияның атауы
Хабарлама
0/1000

БАЙЛАНЫСЫ БАР ӨНІМ

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Баға алу

Тегін баға алу

Біздің өкіл сізбен жақын арада байланысады.
Email
Аты
Компанияның атауы
Хабарлама
0/1000