Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 750V 1000А ,P6 .
Ерекшеліктер
Типілік қолданулар
Абсолютті Максимум Рейтингтер t F =25 O Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ | Сипаттама | Мәндер | бірлік |
V CES | Жинағыш-эмиттер кернеуі | 750 | V |
V ГЭС | Қақпа-эмиттер кернеуі | ±20 | V |
I КН | Коллекторды іске асыру рент | 1000 | А |
I Ц | Коллектор токы @ T F =125 O Ц | 450 | А |
I CM | Импульсны коллектор токы t p =1 мс | 2000 | А |
p D | Максималды қуат тарату ация @ t F =75 O Ц t vj =175 O Ц | 1282 | W |
Диод
Символ | Сипаттама | Мәндер | бірлік |
V РРМ | Қайталау Пик Кері Кернеу жас | 750 | V |
I БФ | Коллекторды іске асыру рент | 1000 | А |
I F | Диодты үздіксіз алға қарай рент | 450 | А |
I Fm | Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс | 2000 | А |
Модуль
Символ | Сипаттама | мәні | бірлік |
t vjmax | Жоғарғы түйісу температурасы | 175 | O Ц |
t vjop | Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет | -40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін | O Ц |
t ЖТГ | Сақтау температурасы | -40-дан +125-ге дейін | O Ц |
V ISO | Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 Минуты | 2500 | V |
D Жүрекке сырғанау | Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға | 9.0 9.0 | мм |
D таза | Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға | 4.5 4.5 | мм |
IGBT Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік | ||||||||
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі | I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t vj =25 O Ц |
| 1.10 | 1.35 |
V | ||||||||
I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t vj =150 O Ц |
| 1.10 |
| |||||||||||
I Ц = 450А,В ГЭ =15В, t vj =175 O Ц |
| 1.10 |
| |||||||||||
I Ц =1000A,V ГЭ =15В, t vj =25 O Ц |
| 1.40 |
| |||||||||||
I Ц =1000A,V ГЭ =15В, t vj =175 O Ц |
| 1.60 |
| |||||||||||
V ГЭ (th ) | Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу | I Ц =12.9 mА ,V CE = V ГЭ , t vj =25 O Ц | 5.5 | 6.4 | 7.0 | V | ||||||||
I CES | Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк | V CE = V CES ,V ГЭ =0В, t vj =25 O Ц |
|
| 1.0 | mА | ||||||||
I ГЭС | Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк | V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t vj =25 O Ц |
|
| 400 | nA | ||||||||
R Гинт | Ішкі қақпа кедергісі |
|
| 1.2 |
| Ω | ||||||||
Ц лар | Кіріс сыйымдылығы |
V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В |
| 66.7 |
| НФ | ||||||||
Ц лық | Шығарылымдық сыйымдылық |
| 1.50 |
| НФ | |||||||||
Ц ре | Кері ауыстыру Қуаттылық |
| 0.35 |
| НФ | |||||||||
Q g | Қақпалық төлем | V CE =400V,I Ц =450А, V ГЭ =-15...+15В |
| 4.74 |
| μC | ||||||||
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц =450А, R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V, L с =24nH, T vj =25 O Ц |
| 244 |
| н | ||||||||
t R | Күтерілу уақыты |
| 61 |
| н | |||||||||
t d(оң) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 557 |
| н | |||||||||
t F | Күз мезгілі |
| 133 |
| н | |||||||||
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 11.0 |
| МЖ | |||||||||
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 22.8 |
| МЖ | |||||||||
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц =450А, R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V, L с =24nH, T vj =150 O Ц |
| 260 |
| н | ||||||||
t R | Күтерілу уақыты |
| 68 |
| н | |||||||||
t d(оң) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 636 |
| н | |||||||||
t F | Күз мезгілі |
| 226 |
| н | |||||||||
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 16.9 |
| МЖ | |||||||||
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 32.2 |
| МЖ | |||||||||
t D (ҚОСУЛЫ ) | Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =400V,I Ц =450А, R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V, L с =24nH, T vj =175 O Ц |
| 264 |
| н | ||||||||
t R | Күтерілу уақыты |
| 70 |
| н | |||||||||
t d(оң) | Бұғаттау Кешіру уақыты |
| 673 |
| н | |||||||||
t F | Күз мезгілі |
| 239 |
| н | |||||||||
E ҚОСУЛЫ | Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
| 19.2 |
| МЖ | |||||||||
E Ашылған | Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
| 33.6 |
| МЖ | |||||||||
I SC | SC деректері | t p ≤6μс, V ГЭ =15В, t vj =25 O C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В |
| 4900 |
| А | ||||||||
|
| t p ≤3μс, V ГЭ =15В, t vj =175 O C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В |
|
3800 |
|
|
Диод Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік |
V F |
Алға қарай диод Кернеу | I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5O Ц |
| 1.40 | 1.65 |
V |
I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =150 O Ц |
| 1.35 |
| |||
I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =175 O Ц |
| 1.30 |
| |||
I F =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =25 O Ц |
| 1.80 |
| |||
I F =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =175 O Ц |
| 1.80 |
| |||
Q R | Алынған айыппұл |
V R =400V,I F =450А, -ди/дt=7809А/μс,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t vj =25 O Ц |
| 18.5 |
| μC |
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
| 303 |
| А | |
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия |
| 3.72 |
| МЖ | |
Q R | Алынған айыппұл |
V R =400V,I F =450А, -ди/дt=6940А/μс,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t vj =150 O Ц |
| 36.1 |
| μC |
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
| 376 |
| А | |
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия |
| 8.09 |
| МЖ | |
Q R | Алынған айыппұл |
V R =400V,I F =450А, -ди/дt=6748А/μс,V ГЭ =-8В L с =24 nH ,t vj =175 O Ц |
| 40.1 |
| μC |
I RM | Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
| 383 |
| А | |
E рек | Қайта қалпына келтіру энергия |
| 9.01 |
| МЖ |
НТК Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Сынақ шарттары | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік |
R 25 | Атаулы кедергі |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Ауыспалы туралы R 100 | t Ц =100 O Ц Р 100= 493,3Ω | -5 |
| 5 | % |
p 25 | Күш Диссипация |
|
|
| 20.0 | мW |
Б 25/50 | B-құндылығы | R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
| 3375 |
| К |
Б 25/80 | B-құндылығы | R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
| 3411 |
| К |
Б 25/100 | B-құндылығы | R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))] |
| 3433 |
| К |
Модуль Характеристикалар t F =25 O Ц егер каланын белгіленген
Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | бірлік |
L CE | Айналадағы индуктивтілік |
| 8 |
| nH |
R CC+EE | Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке |
| 0.75 |
| mΩ |
p | Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма t негізгі тақта <40 O Ц t негізгі тақта >40 O Ц (относительное басық) |
|
| 2.5 2.0 |
бар |
R ТЖЖ | Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △ V/ △ t=10,0 dm 3/Минуты ,t F =75 O Ц |
| 0.068 0.105 | 0.078 0.120 | К/W |
м | Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | Н.М |
g | Салмақ туралы Модуль |
| 750 |
| g |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.