IGBT Дискретті

Символ

Сипаттама

мәні

бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 O Ц

@ Т Ц = 110O Ц

50

25

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p T бойынша шектелген jmax

100

А

p D

Максималды қуаттылық ж =175 O Ц

573

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

бірлік

t жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

O Ц

t ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-55-ден +150-ге дейін

O Ц

t с

Дәнекерлеу температурасы,1.6mm fro m корпус үшін 10 секунд

260

O Ц

м

Монументтік момент, Болт M3

0.6

Н.М

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =25A, V ГЭ =15В,

t ж =25 O Ц

1.70

2.15

V

I Ц =25A, V ГЭ =15В,

t ж =125 O Ц

1.95

I Ц =25A, V ГЭ =15В,

t ж =150 O Ц

2.00

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =0.63 mА ,V CE = V ГЭ , t ж =25 O Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

t ж =25 O Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, t ж =25 O Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0

Ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

2.59

НФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.07

НФ

Q g

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

0.19

μC

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =25A, R g =20Ω,V ГЭ =±15В, t ж =25 O Ц

28

н

t R

Күтерілу уақыты

17

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

196

н

t F

Күз мезгілі

185

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.71

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

1.49

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =25A, R g =20Ω,V ГЭ =±15В, t ж =125 O Ц

28

н

t R

Күтерілу уақыты

21

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

288

н

t F

Күз мезгілі

216

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.57

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

2.21

МЖ

t D (ҚОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =25A, R g =20Ω,V ГЭ =±15В, t ж =150 O Ц

28

н

t R

Күтерілу уақыты

22

н

t D (Ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

309

н

t F

Күз мезгілі

227

н

E ҚОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.78

МЖ

E Ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

2.42

МЖ

I SC

SC деректері

t p ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

t ж =150 O C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

100

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =25A,V ГЭ =0В,Т ж =25 O Ц

2.20

2.65

V

I F =25A,V ГЭ =0В,Т ж = 125O Ц

2.30

I F =25A,V ГЭ =0В,Т ж = 150O Ц

2.25

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ГЭ =-15В t ж =25 O Ц

1.43

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

34

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

0.75

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ГЭ =-15В t ж = 125O Ц

2.4

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

42

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

1.61

МЖ

Q R

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ГЭ =-15В t ж = 150O Ц

2.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

44

А

E рек

Қайта қалпына келтіру энергия

2.10

МЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

бірлік

R ТЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.262

0.495

К/W

R ТЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W