H50ZPU, түзету диоды

I _T(AV)

900А

V _РРМ

8100V 8300V

8500V

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

мәні

бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық 50Гц Екі жақты салқындатылған

TC=85 ℃

150

900

А

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де tp=10ms

150

200

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10ms жартылай синусоидалық толқын. VR=0.6VRRM

150

10

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

500

10³А ²с

VFO

Төменгі кернеу

150

1.00

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

1.00

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

IFM=1500A, F=24kN

25

2.60

V

Qrr

Алу ақысы

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

4000

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де ° синус. екі жақты салқындатылған Қыспа күші 24kN

0.022

℃ /W

Rth(c-h)

Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор

0.005

Fm

Орнату күші

19

26

кН

TVj

Байланыс температурасы

-40

150

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

160

℃

Wt

Салмақ

560

g

Нысан

ZT50dT