IGBT მოდული 1700V

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მნიშვნელობა)

(ერთეული)

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

V

V GES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

± 20

V

I C

კოლექტორ-გამომცემის დენი

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

ა

I C(PK)

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

tP = 1ms

4800

ა

P მაქს

მაქსიმალური ტრანზისტორის ენერგიის დაკარგვა

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

kW

I 2t

დიოდი I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Visol

იზოლაციის ძაბვა – თითო მოდულზე

( საერთო ტერმინალები ბაზის პლატისთვის),

AC RMS,1 წთ, 50Hz

4000

V

Q PD

პარტიული გაწვდვა – თითო მოდულზე

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pC

Tcase = 25 °C Tcase = 25°C თუ სხვა რამ არ არის მითითებული

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(Min)

(ტიპი)

(მაქსიმუმი)

(ერთეული)

I CES

კოლექტორის გამორთული დენი

V GE = 0V, VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES, T შემთხვევაში =125 °C

40

mA

V GE = 0V, VCE = VCES, T შემთხვევაში = 150 °C

60

mA

I GES

ღობეების გაჟონვის დენი

V GE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V GE (TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

I C = 80mA, V GE = VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე

ვოლტი

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

V

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

V

I F

დიოდური წინასწარი დენი

DC

2400

ა

I FRM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი

t P = 1მს

4800

ა

VF(*1)

დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 2400A

1.65

V

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

V

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

V

კაი

შეყვანის სიმძლავრე

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

NF

სათაო ოფისი

კარიბჭის გადასახადი

±15V

19

μC

კრეს

საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

NF

L M

მოდულის ინდუქტენტობა

10

nH

R INT

ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

110

μΩ

I SC

კороткое ჩართვის მიმდინარე, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

ა

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

n

t f

შემოდგომის დრო

500

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

1050

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

450

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

210

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

410

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

1000

ა

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

320

mJ

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

n

t f

შემოდგომის დრო

510

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

1320

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

450

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

220

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

660

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

1200

ა

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

550

mJ

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

n

t f

შემოდგომის დრო

510

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

1400

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

450

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

220

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

820

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

1250

ა

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

620

mJ