IGBT მოდული 3300V

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მნიშვნელობა)

(ერთეული)

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

± 20

V

I C

კოლექტორ-გამომცემის დენი

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

ა

I C(PK)

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

1ms, T შემთხვევაში = 140 °C

1000

ა

P მაქს

მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kW

I 2t

დიოდი

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

იზოლაციის ძაბვა – თითო მოდულზე

საერთო ტერმინალები ბაზის ფირფიტისთვის),

AC RMS,1 წთ, 50Hz

6000

V

Q PD

პარტიული გაწვდვა – თითო მოდულზე

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pC

Tკეისი = 25 °C T კეისი = 25°C თუკი განცხადება სხვანაირად

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(მნ)

(ტიპი)

(მაქს)

(UNIT)

I CES

კოლექტორის გამორთული დენი

V გენერალური საწარმოები = 0V, VCE = VCES

1

mA

V გენერალური საწარმოები = 0V, VCE = VCES , T კეისი =125 °C

30

mA

V გენერალური საწარმოები = 0V, VCE =VCES , T კეისი =150 °C

50

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გაჟონვა დიდება

V გენერალური საწარმოები = ±20V, VCE = 0V

1

μA

V გენერალური საწარმოები (TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

I C = 40mA, V გენერალური საწარმოები =VCE

5.50

6.10

7.00

V

VCE (მჯდომარე)(*1)

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე ვოლტი

V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,I C= 500A

2.40

2.90

V

V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,I C = 500A,Tvj = 125 °C

2.95

3.40

V

V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,I C = 500A,Tvj = 150 °C

3.10

3.60

V

I F

დიოდური წინასწარი დენი

DC

500

ა

I FRM

დიოდის მაქსიმალური წინ დიდება

T პ = 1ms

1000

ა

VF(*1)

დიოდის წინამავალი ძაბვა

I F = 500A

2.10

2.60

V

I F = 500A, Tvj = 125 °C

2.25

2.70

V

I F = 500A, Tvj = 150 °C

2.25

2.70

V

Cies

შეყვანის სიმძლავრე

VCE = 25 ვოლტი, V გენერალური საწარმოები = 0V,F = 1მჰზ

90

NF

Qg

კარიბჭის გადასახადი

±15V

9

μC

Cres

საპირისპირო გადაცემის შესაძლებლობაციტირება

VCE = 25 ვოლტი, V გენერალური საწარმოები = 0V,F = 1მჰზ

2

NF

L M

მოდული ინდუქტივობა

25

nH

r INT

ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

310

μΩ

I SC

მოკლემეტრაჟიანი დენი, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 2500 ვოლტი, V გენერალური საწარმოები ≤15V,Tპ ≤10μs,

VCE(მაქს) = VCES –L (*2) ×დი/dt,IEC 6074-9

1800

ა

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

1720

n

t f

შემოდგომის დრო

520

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

780

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

650

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

260

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

730

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

390

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

420

ა

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

480

mJ

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(Min)

(ტიპი)

(მაქსიმუმი)

(ერთეული)

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

1860

n

t f

შემოდგომის დრო

550

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

900

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

630

n

ტრ

მოსვლის დროჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

280

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

880

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

620

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

460

ა

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

760

mJ

(სიმბოლო)

(პარამეტრი)

(ტესტირების პირობები)

(Min)

(ტიპი)

(მაქსიმუმი)

(ერთეული)

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

I C = 500A VCE = 1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG ((ON) = 3.0Ω RG ((OFF) = 4.5Ω

1920

n

t f

შემოდგომის დრო

560

n

E OFF

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

1020

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

620

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

280

n

ეონ

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

930

mJ

კრრ

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

720

μC

I rr

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

490

ა

ერეკი

დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

900

mJ