Y80KFG,არასიმეტრიული სწრაფი გამორთვის თირისტორი

სიმბოლო

მახასიათებლები

გამოცდის პირობები

Tj(°C )

ღირებულება

UNIT

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC=55 °C

125

3354

ა

VDRM

განმეორებითი პიკი გამორთვის ძაბვა

tp=10ms

125

2000

3000

V

VRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1000

2500

ირმ ირმ

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

250

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

40

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

8000

103A2s

VTO

საფეხური ძაბვა

125

1.30

V

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.14

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=5000A, F=70kN

45μs≤tq≤75μs

25

2.00

V

76μs≤tq≤100μs

1.80

V

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

კრიტიკული ზრდის სიჩქარე ჩართვის მიმდინარე (არადამეორებითი)

VDM= 67%VDRM,

გეითის პულსი tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μS

კრრ

აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

1000

µC

Tq

სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

45

100

µs

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

40

250

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.9

2.5

V

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

20

1000

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

1500

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე 。სინუსი, ორმაგი მხრიდან გაგრილებული დაჭერის ძალა 70kN

0.0085

。C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.0020

FM

მონტაჟის ძალა

63

84

კნ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

140

°C

Wt

წონა

1230

g

კონტური

KT75cT