Ყველა კატეგორია

Სწრაფი გამორთვა

Სწრაფი გამორთვა

Მთავარი გვერდი /  Პროდუქტები /  Კაფსულის ტიპის მოწყობილობა /  Სწრაფი გამორთვა

Y70KFE, არასიმეტრიული სწრაფი გამორთვის თირისტორი

Ნაწილების ნომერი Y70KFE-KT60cT

Brand:
TECHSEM
Spu:
Y70KFE-KT60cT
Appurtenance:

Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ

  • Შესავალი
Შესავალი

I T(AV)

2500

V DRM

800V~ 2000V

V RRM

1000V~ 1800V

t q

15~75µs

Მახასიათებლები

  • Ინტერდიჯიტირებული ამპლიფიცირებელი კარები
  • Სწრაფი ჩართვა და მაღალი di/dt
  • Დაბალი გადასვლის დანაკარგები

Ტიპიური გამოყენებები

  • Ინდუქციური გათბობა
  • Ელექტრონული შედუღების აპარატები
  • Თვითკომუტირებული ინვერტორები

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj(°C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC=55 °C

125

2500

VDRM

Განმეორებითი პიკი გამორთვის ძაბვა

tp=10ms

125

800

2000

V

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1000

1800

V

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

125

200

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

29

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

4205

103A2s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

1.10

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.13

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=4000A, F=32kN

15≤tq≤28

25

2.20

V

29≤tq≤50

2.00

V

51≤tq≤75

1.80

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

Კრიტიკული ზრდის სიჩქარე ჩართვის მიმდინარე (არადამეორებითი)

VDM= 67%VDRM,

Კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μS

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

tq

Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

15

75

μs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.9

2.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

1000

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინი, ორმხრივი გაგრილება კლამპირების ძალა 32kN

0.012

C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.003

FM

Მონტაჟის ძალა

30

40

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

130

°C

Wt

Წონა

880

g

Კონტური

KT60cT

Იღეთ უფასო ციფრი

Ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად თქვენთან დაგერთვება.
Email
0/100
Სახელი
0/100
Კომპანიის სახელი
0/200
Მესიჯი
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Იღეთ უფასო ციფრი

Ჩვენი წარმომადგენელი სწრაფად თქვენთან დაგერთვება.
Email
0/100
Სახელი
0/100
Კომპანიის სახელი
0/200
Მესიჯი
0/1000