Y60KFE, არ სიმეტრიული სწრაფი გამორთვის თირისტორი

სიმბოლო

მახასიათებლები

გამოცდის პირობები

Tj( °C )

ღირებულება

UNIT

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

T _C =55 °C

125

1600

ა

VDRM

განმეორებითი პიკი გამორთვის ძაბვა

tp=10ms

125

1200

2000

V

VRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1000

1800

V

ირმ ირმ

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

120

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

18

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

1620

103A2s

VTO

საფეხური ძაბვა

125

1.27

V

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.22

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=3000A, F=28kN

20≤tq≤28

25

2.20

V

29≤tq≤50

2.00

V

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

კრიტიკული ზრდის სიჩქარე ჩართვის მიმდინარე (არადამეორებითი)

VDM= 67%VDRM,

კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μS

კრრ

აღდგენის გადასახადი

ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

Tq

სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM= 1000A ,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

15

50

μs

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.9

2.5

V

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

20

500

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე ° სინი, ორმხრივი გაგრილება კლამპირების ძალა 32kN

0.016

°C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

0.004

FM

მონტაჟის ძალა

27

34

კნ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

140

°C

Wt

წონა

640

g

კონტური

KT54cT