სწრაფი აღდგენის დიოდი

i_T(AV)

1500A

v_RRM

1800Vკალენდარი2000V

2200V 2500V

- ნვ.

სიმბოლო

- ნვ.

მახასიათებელი

- ნვ.

გამოცდის პირობები

- ნვ.

Tj(°C)

ღირებულება

- ნვ.

ერთეული

მნ

ტიპი

მაქს

IF(AV)

საშუალო წინასწარი დენი

180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება,

Tsink=55°C

125

- ნვ.

- ნვ.

1500

a

IRRM

განმეორებითი პიკური დენი

VRRM-ზე

125

- ნვ.

- ნვ.

85

mA

IFSM

სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

- ნვ.

125

- ნვ.

- ნვ.

19.6

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

- ნვ.

- ნვ.

1920.8

A2s*103

VFO

საფეხური ძაბვა

- ნვ.

- ნვ.

125

- ნვ.

- ნვ.

1.16

v

რფ

წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

0.29

მΩ

- ნვ.

VFM

- ნვ.

პიკური წინასწარი ძაბვა

@IFM=1500A,

- ნვ.

F=24kN

25

- ნვ.

- ნვ.

1.76

- ნვ.

v

@IFM=3000A,

125

- ნვ.

- ნვ.

2.03

- ნვ.

VFRM

- ნვ.

მაქსიმალური წინასწარი აღდგენის ძაბვა

- ნვ.

di/dt=1000A/µs

125

- ნვ.

- ნვ.

45

v

25

- ნვ.

- ნვ.

28

v

IRM

უკუღმართი აღდგენის მიმდინარე

- ნვ.

IFM=1000A,tp=4000µs, -di/dt=60A/µs, VR=50V

- ნვ.

- ნვ.

125

- ნვ.

144

- ნვ.

a

trr

უკუღმართი აღდგენის დრო

- ნვ.

4.5

- ნვ.

µs

კრრ

აღდგენის გადასახადი

- ნვ.

650

- ნვ.

µC

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე◊სინუსური, ორმხრივად გაგრილებული კლამპირების ძალა 24kN

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

0.021

- ნვ.

°C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

0.005

FM

მონტაჟის ძალა

- ნვ.

- ნვ.

19

- ნვ.

26

კნ

ტჟოპ

მუშაობის ტემპერატურის დიაპაზონი

- ნვ.

- ნვ.

-40

- ნვ.

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

- ნვ.

- ნვ.

-40

- ნვ.

150

°C

Wt

წონა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

440

- ნვ.

g

კონტური

ZT50cT