ბი-დირექციული კონტროლის თირისტორი

IT(AV)

830a

VDRM, VRRM

500V   800V

1000Vკალენდარი1200 ვოლტი

1400V  1600V

1800

- ნვ.

სიმბოლო

- ნვ.

მახასიათებელი

- ნვ.

გამოცდის პირობები

Tj(°C)

ღირებულება

- ნვ.

ერთეული

მნ

ტიპი

მაქს

- ნვ.

IT(RMS)

- ნვ.

RMS მიმდინარე

50Hz სინუსური ტალღა

ორმხრივი გაგრილება,

TC=55°C

- ნვ.

125

- ნვ.

- ნვ.

1210

- ნვ.

a

TC=85°C

- ნვ.

- ნვ.

830

VDRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

VDRM tp=10ms

VDSM=VDRM+100V

125

500

- ნვ.

1800

v

IDRM

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე

125

- ნვ.

- ნვ.

50

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

- ნვ.

- ნვ.

7.8

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

- ნვ.

- ნვ.

304

A2s* 103

VTO

საფეხური ძაბვა

- ნვ.

125

- ნვ.

- ნვ.

1.00

v

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

0.85

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM= 1200A, F= 18kN

125

- ნვ.

- ნვ.

2.70

v

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

- ნვ.

- ნვ.

50

V/µs

di/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67%VDRM 1000A-ზე,

ღობეების იმპულსები tr ≤0.5μs IGM= 1.5A განმეორებადი

125

- ნვ.

- ნვ.

50

A/µs

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

- ნვ.

VA= 12V, IA= 1A

- ნვ.

25

20

- ნვ.

350

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

- ნვ.

3.5

v

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

20

- ნვ.

400

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

500

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

- ნვ.

- ნვ.

0.3

v

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

ორმხრივად გაგრილებული     კლამპირების ძალა 18kN

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

0.030

- ნვ.

◊C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

0.008

FM

მონტაჟის ძალა

- ნვ.

- ნვ.

15

- ნვ.

20

კნ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

- ნვ.

- ნვ.

-40

- ნვ.

125

◊c

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

- ნვ.

- ნვ.

-40

- ნვ.

140

◊c

Wt

წონა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

200

- ნვ.

g

კონტური

KA37