TG1800HF17H1-S500,IGBT მოდული,Half Bridge IGBT,CRRC

სიმბოლო სიმბოლო

参数名称 პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

გამოცდის პირობები

რიცხვური მნიშვნელობა ღირებულება

单位 UNIT

V CES

集电极 -გამტარი ძაბვა

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

V გენერალური საწარმოები = 0V, T C = 25 °C

1700

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

极 -გამტარი ძაბვა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

T C = 25 °C

± 20

V

I C

კოლექტორის დენი

კოლექტორ-გამომცემის დენი

T C = 85 °C, T vj მაქს = 175°C

1800

ა

I C(PK)

集电极峰值电流

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

T პ =1ms

3600

ა

პ მაქს

ტრანზისტორის ნაწილში მაქსიმალური დაკარგვა

მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

I 2T

დიოდი I 2T 值 დიოდი I 2T

V r =0V, T პ = 10 მს T vj = 175 °C

551

KA 2s

V isol

იზოლაციის ძაბვა (模块 )

იზოლაცია ვოლტი - მდე მოდული

ოლქსჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკ ( დაკავშირებული ტერმინალი s-მდე ძირით დაყრდნობით), აც RMS1 მინიმუმ 50 ჰერცტი, T C = 25 °C

4000

V

პარამეტრი სიმბოლო

განმარტება

განმარტება

值 ღირებულება

单位 UNIT

ასვლის დისტანცია

სრიალების მანძილი

ტერმინალი -გამხვირველი

ტერმინალი კაცრის თბილსასუფთავე

36.0

მმ

ტერმინალი -ტერმინალი

ტერმინალი ტერმინალამდე

28.0

მმ

იზოლაციის间隙 სუფთა სივრცე

ტერმინალი -გამხვირველი

ტერმინალი კაცრის თბილსასუფთავე

21.0

მმ

ტერმინალი -ტერმინალი

ტერმინალი ტერმინალამდე

19.0

მმ

საპარასიტო წვდომის ინდექსი

CTI (Comparative Tracking Index)

>400

სიმბოლო სიმბოლო

参数名称 პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა მინ.

典型值 თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა მაქსიმალური

单位 UNIT

r th(j-c) IGBT

IGBT 结壳热阻

თერმული წინადადება – IGBT

16

K \/ kW

r th(j-c) დიოდი

დიოდის结壳热阻

თერმული წინადადება – დიოდი

33

K \/ kW

r th ((c-h) IGBT

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (IGBT)

თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (IGBT)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

with დაყენება ცრემლი 1W\/m·K

14

K \/ kW

r th ((c-h) დიოდი

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (Diode)

თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (Diode)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

with დაყენება ცრემლი 1W\/m·K

17

K \/ kW

T vjop

სამუშაო კავშირი

მუშაობის კავშირი Температура

IGBT ჩიპი ( IGBT )

-40

150

°C

დიოდის ჩიპი ( Diode )

-40

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

ოვაციური ტემპერატურა

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

150

°C

M

მონტაჟის მომენტი

შრიფტის ბრუნვის მომენტი

მონტაჟისთვის – M5 დაყენება – M5

3

6

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M4

ელექტრო კავშირები – M4

1.8

2.1

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M8

ელექტრო კავშირები – M8

8

10

Nm

სიმბოლო სიმბოლო

参数名称 პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა მინ.

典型值 თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა მაქსიმალური

单位 UNIT

r th(j-c) IGBT

IGBT 结壳热阻

თერმული წინადადება – IGBT

16

K \/ kW

r th(j-c) დიოდი

დიოდის结壳热阻

თერმული წინადადება – დიოდი

33

K \/ kW

r th ((c-h) IGBT

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (IGBT)

თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (IGBT)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

with დაყენება ცრემლი 1W\/m·K

14

K \/ kW

r th ((c-h) დიოდი

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (Diode)

თერმული წინადადება –

დაფიქსირება გამყოფზე (Diode)

მონტაჟის მომენტი 5Nm, თერმული ზეთი 1W\/m·K დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

with დაყენება ცრემლი 1W\/m·K

17

K \/ kW

T vjop

სამუშაო კავშირი

მუშაობის კავშირი Температура

IGBT ჩიპი ( IGBT )

-40

150

°C

დიოდის ჩიპი ( Diode )

-40

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

ოვაციური ტემპერატურა

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

150

°C

M

მონტაჟის მომენტი

შრიფტის ბრუნვის მომენტი

მონტაჟისთვის – M5 დაყენება – M5

3

6

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M4

ელექტრო კავშირები – M4

1.8

2.1

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის – M8

ელექტრო კავშირები – M8

8

10

Nm

სიმბოლო სიმბოლო

参数名称 პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა მინ.

典型值 თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა მაქსიმალური

单位 UNIT

r 25

ნომინალური რეზისტანსი

შეფასებული გამძლეობა

T C = 25 °C

5

kΩ

△ r /R

R100 გადახრა

Deviation of R100

T C = 100 °C, r 100=493Ω

-5

5

%

პ 25

დისიპაციის ძალა

ენერგიის დაკარგვა

T C = 25 °C

20

მვთ

B 25/50

B- 值

B-მასპინძელი

r 2 = r 25exp [ბ] 25/50 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

კ

B 25/80

B- 值

B-მასპინძელი

r 2 = r 25exp [ბ] 25/80 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

კ

B 25/100

B- 值

B-მასპინძელი

r 2 = r 25exp [ბ] 25/100 1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

კ

სიმბოლო სიმბოლო

参数名称 პარამეტრი

პარამეტრები

გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა მინ.

典型值 თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა მაქსიმალური

单位 UNIT

I CES

კოლექტორის გაწყვეტილი დენი

კოლექტორის გამორთული დენი

V გენერალური საწარმოები = 0V, V CE = V CES

1

mA

V გენერალური საწარმოები = 0V, V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V გენერალური საწარმოები = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

გატვირთვის დენი

გეით გამოსვლის დიდება

V გენერალური საწარმოები = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V გენერალური საწარმოები (TH)

极 -ოვაციური ღირებულება ელექტროპატენცია ღობეების ზღვრული ძაბვა

I C = 60mA, V გენერალური საწარმოები = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (სატური) (*1)

集电极 -ეთერზომიერი და ელექტროპრესი

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე

ვოლტი

V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, I C = 1800A

1.70

V

V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, I C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, I C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

I F

ორსულიანი პირდაპირი ელექტრო ნაკადი დიოდური წინასწარი დენი

DC

1800

ა

I FRM

二极管正向重复峰值电流 ორიგინალური ელექტრო ნაკადი დიოდი მაქსიმალური წინააღმდეგ მდგომარეობა nt

T პ = 1ms

3600

ა

V F (*1)

ორსულიანი პირდაპირი ელექტროწნევის

დიოდის წინამავალი ძაბვა

I F = 1800A, V გენერალური საწარმოები = 0

1.60

V

I F = 1800A, V გენერალური საწარმოები = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

I F = 1800A, V გენერალური საწარმოები = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

I SC

მოკლე ჩართვის მიმდინარე

მოკლემეტრაჟიანი დიდება

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V გენერალური საწარმოები ≤ 15V, T პ ≤ 10μs,

V CE(მაქს) = V CES – L (*2) ×di\/dt, IEC 60747-9

7400

ა

C ies

შესვლის კაპასიტივობა

შეყვანის სიმძლავრე

V CE = 25 ვოლტი, V გენერალური საწარმოები = 0V, F = 100kHz

542

NF

Q g

გატვირთვის დატვირთვა

კარიბჭის გადასახადი

±15V

23.6

μC

C res

უკანასკნელი გადაცემის კაპასიტივობა

საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

V CE = 25 ვოლტი, V გენერალური საწარმოები = 0V, F = 100kHz

0.28

NF

L sCE

მოდულის შეხვეული ინდუქტიურობა

Module stray inducta nce

8.4

nH

r CC + EE ’

მოდულის წინაპირი რეზისტანსი, ტერმინალი -ჩიპი M odule lead ოპერაციული წინააღმდეგობა, terminal-chip

თითოეულ გადართვისას

per switch

0.20

mΩ

r გინტი

შინაარსიანი გატების რეზისტორი

შიდა კარიბჭე რეზისტორი

1

Ω

სიმბოლო სიმბოლო

参数名称 პარამეტრი

ტესტ-თეორიები

გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა მინ.

典型值 თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა მაქსიმალური

单位 UNIT

T d(off)

关断延迟时间

გამორთვის დაგვიანების დრო

I C =1800A,

V CE = 900V,

V გენერალური საწარმოები = ± 15V, r G ((OFF) = 0.5Ω, L s = 25nH,

D V ∕dt =3800V∕μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

n

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

T F

დასვენების დრო შემოდგომის დრო

T vj = 25 °C

245

n

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

E გათიშული

关断损耗

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

T d(on)

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ

ჩართვის შეფერხების დრო

I C =1800A,

V CE = 900V,

V გენერალური საწარმოები = ± 15V, r G ((ON) = 0.5Ω, L s = 25nH,

D I ∕dt = 8500A∕μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

n

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

T r

მოსვლის დრო ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

T vj = 25 °C

135

n

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

E ჩართული

ვენეცია

ჩართვის ენერგია დანარჩენი

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q rr

ორსულიანი საპირისპირო აღდგენის ელექტროტვირთვა დიოდი უკან

აღდგენის გადასახადი

I F =1800A, V CE = 900V,

- ჟ I F /dt = 8500A∕μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

I rr

ორსულიანი საპირისპირო რეზერვუაციული ელექტრო ნაკადი დიოდი უკან

აღდგენის დენი

T vj = 25 °C

1330

ა

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

E რეკ

二极管 უკუმიმართულების აღდგენის დანაკარგი დიოდი უკან

აღდგენის ენერგია

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420