IGBT მოდული 4500V

პარამეტრი/参数

სიმბოლო/符号

პირობები/条件

მნ

მაქს

UNIT

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა 集电极- გამოგზავნის უკიდურესი ელექტროპრესი

VCES

Vგენერალური საწარმოები =0V,Tvj ≥25°C

4500

V

DC კოლექტორი დიდება კოლექტორის დენი

IC

TC =80°C

900

ა

პიკის კოლექტორი დიდება 集电极峰值电流

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

1800

ა

ღობე-გამომცემის ძაბვა 极 გამოგდებული 极 ელექტროწნევა

Vგენერალური საწვავის სისტემა

-20

20

V

ჯამში ენერგიის დაკარგვა ოლქური სიმძლავრის დაკარგვა

პtot

TC =25°C,perswitch(IGBT)

8100

W

DC წინასწარი მიმდინარე პირდაპირი ელექტრო ნაკადი

IF

900

ა

პიკ-წინ დენი 峰值正向电流

IFRM

tp=1ms

1800

ა

სერჟი დიდება 浪涌电流

IFSM

Vr =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, ნახევრად სიზუსტის ტალღა

6700

ა

IGBT მოკლე წრივი SOA IGBT 短路安全工作区

Tpsc

VCC = 3400V,VCEMCHIP≤4500V Vგენერალური საწარმოები ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

იზოლაციის ძაბვა იზოლაციის ძაბვა

Visol

1წუთი,f=50Hz

10200

V

ჯუნქციის ტემპერატურა კავშირი

Tvj

150

°C

გადასასვლელის მუშაობის ტემპერატურამწყობრი სამუშაო კავშირი

Tvj(op)

-50

125

°C

კორპუსის ტემპერატურა კორპუსის ტემპერატურა

TC

-50

125

°C

შემადგენლითი ტემპერატურა შენახვის ტემპერატურა

Tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

-50

125

°C

მონტაჟის მომენტები მონტაჟის მომენტი

Ms

4

6

Nm

MT1

8

10

MT2

2

3

პარამეტრი/参数

სიმბოლო/符号

პირობები/条件

მნ

ტიპი

მაქს

UNIT

კოლექციონერი (- გამომავალი) გატეხვა ვოლტი

集电极- გამშვები უკიდურესი შემაკავებელი ელექტროტენერგია

V(BR)CES

Vგენერალური საწარმოები =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე ვოლტი

集电极- გაშვების სიმაღლე და ელექტროპრესი

VCEsat

IC =900A, Vგენერალური საწარმოები =15 ვოლტი

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

კოლექტორი გადაჭრილია დიდება კოლექტორის გაწყვეტილი დენი

ICES

VCE =4500V, Vგენერალური საწარმოები =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

გეით გამოსვლის დიდება გატვირთვის დენი

Iგენერალური საწვავის სისტემა

VCE =0V,Vგენერალური საწარმოები =20 ვოლტი, Tvj =125°C

-500

500

nA

ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა 极 გამოგდების 值 ელექტროტენერგია

VGE(th)

IC = 240mA,VCE =Vგენერალური საწარმოები, Tvj =25°C

4.5

6.5

V

გეით დავალება გატვირთვის დატვირთვა

Qg

IC =900A,VCE =2800V, Vგენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი … 15V

8.1

µC

შეყვანის სიმძლავრე შესვლის კაპასიტივობა

Cies

VCE =25V,Vგენერალური საწარმოები =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

105.6

NF

გამოსავალი გამტარუნარიანობა გამოსვლის კაპასიტივობა

Coes

7.35

საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე უკუგადატვირთვის ელექტროგამძლეობა

Cres

2.04

ჩართვის დაგვიანება დრო ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ

Td(on)

VCC =2800V,

IC =900A,

rg =2.2Ω ,

Vგენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი,

Lσ= 280nH,

ინერციული დატვირთვა

Tvj = 25 °C

680

n

Tvj = 125 °C

700

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ მოსვლის დრო

Tr

Tvj = 25 °C

230

Tvj = 125 °C

240

გამორთვის დაგვიანების დრო 关断延迟时间

TD(გათიშული)

Tvj = 25 °C

2100

n

Tvj = 125 °C

2300

შემოდგომის დრო დასვენების დრო

TF

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2800

ჩართვის გადართვა ენერგიის დაკარგვა 开通损耗能量

Eჩართული

Tvj = 25 °C

1900

mJ

Tvj =125 °C

2500

გამორთვის გადართვა ენერგიის დაკარგვა ოვჟვნ ვნჟვნთ

Eგათიშული

Tvj = 25 °C

3100

mJ

Tvj =125 °C

3800

მოკლემეტრაჟიანი დიდება მოკლე ჩართვის მიმდინარე

ISC

Tpsc≤ 10μს, Vგენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, Tvj= 125°C,VCC = 3400 ვოლტი

3600

ა