სწრაფი აღდგენის დიოდის მოდულები

VRRM

ტიპი და კონტური

600V

800V

1000 ვოლტი

1200 ვოლტი

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx75-06-216F3

MZx75-08-216F3

MZx75-10-216F3

MZx75-12-216F3

MZx75-14-216F3

MZx75-16-216F3

MZx75-18-216F3

MZ75-18-216F3G

სიმბოლო

მახასიათებლები

გამოცდის პირობები

Tj( °C )

ღირებულება

UNIT

მნ

ტიპი

მაქს

IF(AV)

საშუალო წინასწარი დენი

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

ერთმხრივი გაგრილება, TC=85 °C

140

75

ა

IF(RMS)

RMS წინასწარი დენი

118

ა

IRRM

განმეორებითი პიკური დენი

VRRM-ზე

140

20

mA

IFSM

სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

140

2.0

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

20

10³ა ²s

VFO

საფეხური ძაბვა

140

1.10

V

rF

წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

3.00

M

VFM

პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM=225A

25

2.00

V

trr

უკუღმართი აღდგენის დრო

IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V

140

3.0

μs

25

2.0

μs

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.310

°C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.080

°C /W

FM

ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

VISO

იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

140

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

წონა

320

g

კონტური

216F3