MTG200,MTY200,თირისტორის მოდულები ((არაიზოლირებული ტიპი),TECHSEM

სიმბოლო

მახასიათებლები

გამოცდის პირობები

Tj( °C )

ღირებულება

UNIT

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

ერთპიროვნული გაგრილებული, TC=90 °C

125

200

ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

314

ა

ირმ ირმ

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

20

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სინუსი

125

5.2

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

125

135

10³ა ²s

VTO

საფეხური ძაბვა

125

0.80

V

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

1.15

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=600A

25

1.62

V

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

800

V/μS

di/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

100

A/μS

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

30

150

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

2.5

V

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

10

180

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე 。სინუსი, ერთი მხარე გაგრილებული თითო ჩიპი

0.13

°C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

180-ზე ° სინუსი, ერთი მხარე გაგრილებული თითო ჩიპი

0.10

°C /W

FM

ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

წონა

280

g

კონტური

213F4