200A,600V~1800V, 229H3/229H3B
Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ
Მოკლე შესავალი
Შედუღების თირისტორის მოდული ,MTC200 ，200A, Ჰაერის გაგრილება ,ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VDRM, VRRM |
Ტიპი და კონტური |
|
600V 800V 1000 ვოლტი 1200 ვოლტი 1400V 1600V 1800V |
MTC200-06-229H3/229H3B MTC200-08-229H3/229H3B MTC200-10-229H3/229H3B MTC200-12-229H3/229H3B MTC200-14-229H3/229H3B MTC200-16-229H3/229H3B MTC200-18-229H3/229H3B |
Მახასიათებლები ：
Ტიპიური გამოყენებები ：
|
Სიმბოლო |
Მახასიათებლები |
Გამოცდის პირობები |
Tj( °C ) |
Ღირებულება |
Ერთეული |
||
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
|||||
IT(AV) |
Საშუალო ჩართული მიმდინარე |
180° ნახევარი სიუნუს ტალღა 50Hz ერთპიროვნული გაგრილებული, Tc=85 °C |
125 |
|
|
200 |
Ა |
IT(RMS) |
RMS აქტიური მიმდინარე |
125 |
|
|
314 |
Ა |
|
Ირმ ირმ |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე VRRM-ზე |
125 |
|
|
40 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM |
125 |
|
|
4.0 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
80 |
Ა 2s*10 3 |
||
VTO |
Საფეხური ძაბვა |
|
125 |
|
|
0.70 |
V |
რტ |
Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
1.11 |
mΩ |
||
VTM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM=600A |
25 |
|
|
1.80 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μS |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
Გეითის წყარო 1.5A tr ≤0.5μs განმეორებითი |
125 |
|
|
200 |
A/μS |
IGT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.6 |
|
2.5 |
V |
||
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
10 |
|
250 |
mA |
||
IL |
Ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.16 |
°C /W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.08 |
°C /W |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა |
50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM |
Ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6) |
|
|
2.5 |
|
4.0 |
N·მ |
Მონტაჟის ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·მ |
|
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
165 |
|
g |
Კონტური |
229H3 、229H3B |
||||||
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
