შედუღების თირისტორი/რექტიფიკატორის მოდული

VDRM, VRRM

ტიპი და კონტური

600V

800V

1000 ვოლტი

1200 ვოლტი

1400V

1600V

1800V

MTC200-06-229H3/229H3B

MTC200-08-229H3/229H3B

MTC200-10-229H3/229H3B

MTC200-12-229H3/229H3B

MTC200-14-229H3/229H3B

MTC200-16-229H3/229H3B

MTC200-18-229H3/229H3B

სიმბოლო

მახასიათებლები

გამოცდის პირობები

Tj( °C )

ღირებულება

UNIT

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სიუნუს ტალღა 50Hz ერთპიროვნული გაგრილებული, Tc=85 °C

125

200

ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

125

314

ა

ირმ ირმ

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

40

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=60%VRRM

125

4.0

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

80

ა ²s*10 ³

VTO

საფეხური ძაბვა

125

0.70

V

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

1.11

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=600A

25

1.80

V

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.6

2.5

V

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

10

250

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.16

°C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.08

°C /W

VISO

იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6)

2.5

4.0

N·მ

მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

წონა

165

g

კონტური

229H3 、229H3B