YMIF750-65,IGBT მოდული,ერთიანი გადამრთველი IGBT,CRRC

V _CES

6500 ვოლტი

V _{CE ((sat)} Თპ.

3,0 ვოლტი

I _C Მაქსიმალური

750 A

I _{C ((RM)} Მაქსიმალური

1500 A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Ღირებულება

Ერთეული

V _CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

V

V _{Გენერალური საწვავის სისტემა}

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

TC= 25 °C

± 20

V

I _C

Კოლექტორ-გამომცემის დენი

TC = 80 °C

750

Ა

I _C(PK)

Პიკის კოლექტორის მიმდინარე

tp=1ms

1500

Ა

Პ _მაქს

Მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

კვ

I ²t

Დიოდი I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

V _isol

Იზოლაციის ძაბვა - ერთ მოდულზე

(საერთო ტერმინალები ბაზის პლატასთან), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kV

Q _PD

Ნაწილობრივი გამონადენი - ერთ მოდულზე

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50ჰერცტიანი RMS

10

pC

Rth ((J-C) IGBT

Თერმული წინააღმდეგობა - IGBT

8.5

Კვ/კვ

Rth ((J-C) დიოდი

Თერმული წინააღმდეგობა - დიოდი

19.0

Კვ/კვ

Rth ((C-H) IGBT

Თერმული წინააღმდეგობა -

ქეისში თბილსასმელი (IGBT)

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

დამონტაჟების ცხიმით 1W/m·°C

9

Კვ/კვ

Rth ((C-H) დიოდი

Თერმული წინააღმდეგობა -

ქუმბარზე (დიოდი)

Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა 5Nm,

დამონტაჟების ცხიმით 1W/m·°C

18

Კვ/კვ

TVjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

(IGBT)

-40

125

°C

(დიოდი)

-40

125

°C

TSTG

ოვაციური ტემპერატურა

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

125

°C

M

Შრიფტის ბრუნვის მომენტი

Დამონტაჟება M6

5

Nm

Ელექტრო კავშირები M4

2

Nm

Ელექტრო კავშირები M8

10

Nm

სიმბოლო Სიმბოლო

参数名称 Პარამეტრი

პარამეტრები

Გამოცდის პირობები

მინიმალური მნიშვნელობა Მინ.

典型值 Თპ.

მაქსიმალური მნიშვნელობა Მაქსიმალური

单位 Ერთეული

ICES

კოლექტორის გაწყვეტილი დენი

Კოლექტორის გამორთული დენი

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mA

IGES

გატვირთვის დენი

Ღობეების გაჟონვის დენი

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

极 -ოვაციური ღირებულება ელექტროპატენცია Ღობეების ზღვრული ძაბვა

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat) ((*1)

集电极 -ეთერზომიერი და ელექტროპრესი

Კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე

ვოლტი

VGE = 15V, IC = 750A

3.0

3.4

V

VGE = 15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V

IF

ორსულიანი პირდაპირი ელექტრო ნაკადი Დიოდური წინასწარი დენი

DC

750

Ა

IFRM

二极管正向重复峰值电流 ორიგინალური ელექტრო ნაკადი Დიოდის პიკის წინასწარი დენი

tP = 1ms

1500

Ა

VF(*1)

ორსულიანი პირდაპირი ელექტროწნევის

Დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

V

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

V

ISC

მოკლე ჩართვის მიმდინარე

Კოროტკი წრის ძრავი

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

Ა

Კაი

შესვლის კაპასიტივობა

Შეყვანის სიმძლავრე

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

nF

Სათაო ოფისი

გატვირთვის დატვირთვა

Კარიბჭის გადასახადი

±15V

9.4

μC

Კრეს

უკანასკნელი გადაცემის კაპასიტივობა

Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

nF

LM

模块 ელექტროგრძნობა

Მოდულის ინდუქტენტობა

10

nH

RINT

შიდა შეზღუდვა

Ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

90

mΩ

td _{(გამორთული)}

关断延迟时间

Გამორთვის დაგვიანების დრო

IC = 750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG ((OFF) = 6.8Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

n

Tvj= 125 °C

3090

t _f

დასვენების დრო Შემოდგომის დრო

Tvj= 25 °C

2390

n

mJ

n

n

mJ

μC

Tvj= 125 °C

2980

E _{Გათიშული}

关断损耗

Გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

td _{(ჩართული)}

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ

Ჩართვის შეფერხების დრო

IC = 750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG ((ON) = 1.0Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

ტრ

მოსვლის დრო Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E _{Ჩართული}

ვენეცია

Ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Კრრ

ორსულიანი საპირისპირო აღდგენის ელექტროტვირთვა Დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

IF = 750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Ირ

ორსულიანი საპირისპირო რეზერვუაციული ელექტრო ნაკადი Დიოდი საპირისპირო

აღდგენის დენი

Tvj= 25 °C

1310

Ა

mJ

Tvj= 125 °C

1460

Ერეკი

二极管 უკუმიმართულების აღდგენის დანაკარგი Დიოდი საპირისპირო

აღდგენის ენერგია

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080