IGBT მოდული 6500V

პარამეტრი

სიმბოლო

პირობები

მნ

მაქს

UNIT

კოლექტორი-გამომავალი ვოლტი

VCES

Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj ≥ 25°C

6500

V

DC კოლექტორის მიმდინარე

IC

TC =80°C

250

ა

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

500

ა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

Vგენერალური საწვავის სისტემა

-20

20

V

მთლიანი სიმძლავრე გამოტაცია

პtot

TC=25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

DC წინასწარი მიმდინარე

IF

250

ა

პიკის წინასწარი დიდება

IFRM

tp=1ms

500

ა

IGBT მოკლე წრივი SOA

Tpsc

VCC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V Vგენერალური საწარმოები≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μs

იზოლაციის ძაბვა

Visol

1წუთი,f=50Hz

10200

V

ჯუნქციის ტემპერატურა

Tvj

125

°C

ჯუნქციის სამუშაო ტემპერატურა

Tvj(op)

-50

125

°C

კორპუსის ტემპერატურა

TC

-50

125

°C

შემადგენლითი ტემპერატურა

Tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

-50

125

°C

მონტაჟის მომენტები

Ms

4

6

Nm

MT1

8

10

პარამეტრი

სიმბოლო

პირობები

მნ

ტიპი

მაქს

UNIT

კოლექციონერი (- გამომავალი) გატეხვის ძაბვა

V(BR)CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

კოლექტორი-გამომავალი სატურაცია ვოლტი

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

კოლექციონერი გადაჭრის მიმდინარე

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

გეით გამოსვლის დიდება

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

V GE(th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

ჩართვის შეფერხების დრო

Td(on)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

ინერციული დატვირთვა

Tvj = 25 °C

1

μ s

Tvj = 125 °C

0.94

მოსვლის დრო

ტრ

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

გამორთვის დაგვიანების დრო

Td(off)

Tvj = 25 °C

3.9

μ s

Tvj = 125 °C

4.2

შემოდგომის დრო

TF

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

ჩართვის გადართვა ენერგიის დაკარგვა

ეონ

Tvj = 25 °C

3081

mJ

Tvj = 125 °C

3900

გამორთვის გადართვა ენერგიის დაკარგვა

Eგათიშული

Tvj = 25 °C

2100

mJ

Tvj = 125 °C

1236

მოკლე ცირკულაციის მიმდინარე

ISC

tpsc ≤ 10μ ს, V გენერალური საწარმოები

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

ა