IGBT მოდული 4500V

VCES

4500

V

VCE (სატ)

(ტიპი)

2.30

V

IC

(მაქსიმუმი)

1200

ა

ICRM)

(მაქსიმუმი)

2400

ა

სიმბოლო
(სიმბოლო)

参数名称
(პარამეტრი)

ტესტ-თეორიები
(ტესტირების პირობები)

რიცხვური მნიშვნელობა
(მნიშვნელობა)

ერთეული მდე
(ერთეული)

VCES

集电极-გამტარი ძაბვა
კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

VGE=OV, Tvj=25℃

4500

V

VGES

极-გამტარი ძაბვა
ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის დენი
კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

Tvj=125℃, Tcase=85℃

1200

ა

IC ((PK)

集电极峰值电流
პიკის კოლექტორის მიმდინარე

1ms

2400

ა

Pmax

ტრანზისტორის ნაწილში მაქსიმალური დაკარგვა

მაქს. ტრანზისტორის ენერგიის დაკარგვა

Tvj=125℃, Tcase=25℃

12.5

kW

I²t

დიოდი²t值
დიოდი I²t

VR=0V, tp=10ms, Tvj=125℃

530

kA²s

Visol

იზოლაციის ძაბვა(模块)

იზოლაციის ძაბვა - თითო მოდულზე

ოლქსჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკ
(ბაზის ფირფიტასთან საერთო ტერმინალები),
AC RMS, 1 წუთი, 50Hz

10200

V

QPD

局部放电电荷 ოლაკტერიკოსი(模块)
ნაწილობრივი გაწვდვა - თითო მოდულზე

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

ასვლის დისტანცია

სრიალების მანძილი

56მმ

იზოლაციის间隙

სუფთა სივრცე

26მმ

გაჟონვის წინააღმდეგობის ინდექსი

CTI (კრიტიკული ტრეკინგის ინდექსი)

> 600

თერმული და მექანიკური მონაცემები

სიმბოლო
(სიმბოლო)

参数名称
(პარამეტრი)

ტესტ-თეორიები
(ტესტირების პირობები)

მინიმალური
(Min)

მაქსიმალური
(მაქსიმუმი)

ერთეული მდე
(ერთეული)

Rh(J-C) IGBT

GBT结壳热阻

თერმული წინააღმდეგობა - IGBT

结壳恒定功耗
უწყვეტი დაკარგვა - ჯუნქცია კორპუსამდე

8

K/kW

Rh(J-C) დიოდი

დიოდის结壳热阻
თერმული წინააღმდეგობა - დიოდი

结壳恒定功耗
უწყვეტი დაკარგვა - ჯუნქცია კორპუსამდე

16

K/kW

Rt(C-H)

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა(模块)
თერმული წინააღმდეგობა-
კორპუსი სითბოს გამაცხელებელთან (თითო მოდულზე)

მონტაჟის მომენტი5Nm(თერმული ზეთი1W/m · ℃)
მონტაჟის მომენტი 5Nm
(მონტაჟის ზეთით 1W/m · ℃)

6

K/kW

Tv

კავშირიჯუნქციის ტემპერატურა

IGBTნაწილი(IGBT)

125

°C

დიოდის ნაწილი(Diode)

125

°C

TSTG

ოვაციური ტემპერატურაშენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

125

°C

M

მონტაჟის მომენტიშრიფტის ბრუნვის მომენტი

მონტაჟისთვის-M6 მონტაჟი -M6

5

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის-M4
ელექტრული კავშირები -M4

2

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის-M8
ელექტრული კავშირები -M8

10

Nm

Tcase=25℃ თუ არ არის მითითებული სხვაგვარად

სიმბოლო
(სიმბოლო)

参数名称
(პარამეტრი)

პარამეტრები
(ტესტირების პირობები)

მაქსიმალური მინიმალური
(Min)

ტიპიური
(ტიპი)

მაქსიმალური დიდი
(მაქსიმუმი)

单位
(ერთეული)

ICES

კოლექტორის გაწყვეტილი დენი
კოლექტორის გამორთული დენი

VGE=OV,VcE=VCES

1

mA

VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

mA

IGES

გატვირთვის დენი
ღობეების გაჟონვის დენი

VGE=±20V,VcE=0V

1

μA

VGE ((თ)

极-ოვაციური ღირებულება ელექტროპატენცია
ღობეების ზღვრული ძაბვა

Ic=120mA,VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE(sa)

集电极-ეთერზომიერი და ელექტროპრესი
კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე
ვოლტი

VGE=15V,Ic=1200A

2.3

2.8

V

VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C

3.0

3.5

V

IF

ორსულიანი პირდაპირი ელექტრო ნაკადი
დიოდური წინასწარი დენი

DC

1200

ა

IFRM

二极管正向重复峰值电流 ორიგინალური ელექტრო ნაკადი
დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი

tp=1ms

2400

ა

vF(1

ორსულიანი პირდაპირი ელექტროწნევის
დიოდის წინამავალი ძაბვა

/F=1200A

2.4

2.9

V

/F=1200A,Tvj=125°C

2.7

3.2

V

კაი

შესვლის კაპასიტივობა
შეყვანის სიმძლავრე

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

135

NF

Q₉

გატვირთვის დატვირთვა
კარიბჭის გადასახადი

±15V

11.9

μC

კრეს

უკანასკნელი გადაცემის კაპასიტივობა
საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz

3.4

NF

LM

模块 ელექტროგრძნობა
მოდულის ინდუქტენტობა

10

nH

RINT

შიდა შეზღუდვა
ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

90

μΩ

ISC

მოკლე ჩართვის მიმდინარე
მოკლე ჩართვის მიმდინარე, Isc

Tvj=125°C,Vcc=3400V,
VGE≤15V,tp≤10μs,
VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt,

IEC 60747-9

5300

ა

td(of)

关断延迟时间
გამორთვის დაგვიანების დრო

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF

L～180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RG(OFF)=2.7Ω

2700

n

tf

დასვენების დრო
შემოდგომის დრო

700

n

ეოფ

关断损耗
გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

5800

mJ

tdon)

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ
ჩართვის შეფერხების დრო

720

n

T

მოსვლის დრო
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

270

n

ეონ

ვენეცია
ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

3200

mJ

Qm

ორსულიანი საპირისპირო აღდგენის ელექტროტვირთვა
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

/F=1200A
VcE =2800V
dip/dt =5000A/us

1200

μC

I

ორსულიანი საპირისპირო რეზერვუაციული ელექტრო ნაკადი
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

1350

ა

ერეკი

二极管 უკუმიმართულების აღდგენის დანაკარგი
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

1750

mJ

td(of)

关断延迟时间
გამორთვის დაგვიანების დრო

Ic=1200A
VcE =2800V
Cge=220nF
L～180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RGOFF)=2.7Ω

2650

n

tf

დასვენების დრო
შემოდგომის დრო

720

n

ეოფ

关断损耗
გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

6250

mJ

tdon)

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ
ჩართვის შეფერხების დრო

740

n

T

მოსვლის დრო
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

290

n

ეონ

ვენეცია
ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

4560

mJ

Q

ორსულიანი საპირისპირო აღდგენის ელექტროტვირთვა
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1980

μC

I

ორსულიანი საპირისპირო რეზერვუაციული ელექტრო ნაკადი
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

1720

ა

ერეკი

二极管 უკუმიმართულების აღდგენის დანაკარგი
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

3250

mJ