IGBT მოდული 3300V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

ღირებულება

UNIT

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

TC= 25 °C

± 20

V

IC

კოლექტორ-გამომცემის დენი

TC = 100 °C

250

ა

IC ((PK)

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

tp=1ms

500

ა

Pmax

მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

kW

I2t

დიოდი I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

იზოლაციის ძაბვა - ერთ მოდულზე

(საერთო ტერმინალები ბაზის პლატასთან), AC RMS,1 წუთი, 50Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

ნაწილობრივი გამონადენი - ერთ მოდულზე

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50ჰერცტიანი RMS

10

pC

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

ICES

კოლექტორის გამორთული დენი

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

ღობეების გაჟონვის დენი

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე ვოლტი

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

დიოდური წინასწარი დენი

DC

250

ა

IFRM

დიოდის პიკის წინასწარი დენი

tP = 1ms

500

ა

VF(*1)

დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

კოროტკი წრის ძრავი

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

ა

ICES

კოლექტორის გამორთული დენი

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

ღობეების გაჟონვის დენი

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე

ვოლტი

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

დიოდური წინასწარი დენი

DC

250

ა

IFRM

დიოდის პიკის წინასწარი დენი

tP = 1ms

500

ა

VF(*1)

დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

კოროტკი წრის ძრავი

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

ა

Td(off)

გამორთვის დაგვიანების დრო

IC =250A,

VCE = 1800 ვოლტი, Vგენერალური საწარმოები = ±15V, rG ((OFF) = 9.0Ω , Cგენერალური საწარმოები = 56nF,

Ls = 150nH,

Tvj= 25 °C

1480

n

Tvj= 125 °C

1550

Tvj= 150 °C

1570

TF

შემოდგომის დრო

Tvj= 25 °C

1280

n

Tvj= 125 °C

1920

Tvj= 150 °C

2120

Eგათიშული

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

Tvj= 25 °C

300

mJ

Tvj= 125 °C

380

Tvj= 150 °C

400

Td(on)

ჩართვის შეფერხების დრო

IC =250A,

VCE = 1800 ვოლტი, Vგენერალური საწარმოები = ±15V, rG ((ON) = 6.0Ω , Cგენერალური საწარმოები = 56nF,

Ls = 150nH,

Tvj= 25 °C

640

n

Tvj= 125 °C

650

Tvj= 150 °C

650

Tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

Tvj= 25 °C

220

n

Tvj= 125 °C

235

Tvj= 150 °C

238

Eჩართული

ჩართვის ენერგია დანარჩენი

Tvj= 25 °C

395

mJ

Tvj= 125 °C

510

Tvj= 150 °C

565

Qrr

დიოდი უკან

აღდგენის გადასახადი

IF =250A,

VCE = 1800 ვოლტი,

- ჟIF/dt = 1200A/US, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

190

μC

Tvj= 125 °C

295

Tvj= 150 °C

335

Irr

დიოდი უკან

აღდგენის დენი

Tvj= 25 °C

185

ა

Tvj= 125 °C

210

Tvj= 150 °C

216

Eრეკ

დიოდი უკან

აღდგენის ენერგია

Tvj= 25 °C

223

mJ

Tvj= 125 °C

360

Tvj= 150 °C

410