IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექციონერი დიდება @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

ა

I CM

პულსირებული კოლექციონერი დიდება T პ =1 Ms

800

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგია გამოტაცია @ T ჯ =175 O C

2083

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

V RRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

400

ა

I FM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

800

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T jmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა მოთმინება

175

O C

T ჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 რომ +150

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40 რომ +125

O C

V ISO

იზოლაცია ვოლტი RMS ,f=50 ჰზ ,t=1 მნ

4000

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE (მჯდომარე )

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

1.70

2.15

V

I C =400A, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

1.95

I C =400A, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 O C

2.00

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C = 10.0mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები ,T ჯ =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

კოლექტორის გათიშვა

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V,

T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.9

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V, f=1 მჰზ ,

V გენერალური საწარმოები =0V

41.4

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.16

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15 ვოლტი...+15 ვოლტი

3.11

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600V, I C =400A, r g =2.0Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

257

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

96

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

628

n

T F

შემოდგომის დრო

103

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

23.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

34.0

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600V, I C =400A, r g =2.0Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

268

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

107

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

659

n

T F

შემოდგომის დრო

144

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

35.3

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

51.5

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600V, I C =400A, r g =2.0Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150O C

278

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

118

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

680

n

T F

შემოდგომის დრო

155

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

38.5

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

56.7

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 O C ,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1600

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =400A, V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 O C

1.80

2.25

V

I F =400A, V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ = 125O C

1.85

I F =400A, V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ = 150O C

1.85

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600V, I F =400A,

-დი /dt = 5000A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

38.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

285

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

19

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600V, I F =400A,

-დი /dt = 5000A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125O C

66.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

380

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

36.6

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600V, I F =400A,

-დი /dt = 5000A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150O C

76.0

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

399

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

41.8

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC + EE ’

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, ტერმინალი ჟჲ ქპ

0.18

mΩ

r thJC

გადასასვლელი -რომ -კეისი (მდე IGBT )

გადასასვლელი -რომ -კეისი (მდე დიოდი )

0.072

0.095

კვ/ვ

r thCH

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (მდე IGBT )

კეისი -რომ -თბილსასუფთავე (მდე დიოდი )

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (მოდულის მიხედვით)

0.018

0.023

0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, სქრუ M6 დაყენება ტორქი , სქრუ M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

g

წონა მოდული

300

g