IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის დენი @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

ა

ICM

პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms

800

ა

PD

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @ T =150oC

2659

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

VRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

400

ა

თუმ

დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms

800

ა

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

Tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

oC

ტჟოპ

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

oC

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oC

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

2.90

3.35

V

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 O C

3.60

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C = 16.0mA,V CE =V გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 O C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.6

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

26.0

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.70

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

4.2

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, r g =2.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 O C

76

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

57

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

529

n

T F

შემოდგომის დრო

73

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

5.2

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

23.2

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, r g =2.2Ω,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125O C

81

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

62

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

567

n

T F

შემოდგომის დრო

81

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

9.9

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

31.7

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =125 O C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

2800

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =400A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 O C

1.96

2.31

V

I F =400A,V გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125O C

1.98

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 O C

24.9

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

317

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

16.0

mJ

Q r

აღდგენილი გადასახადი

V r =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125O C

35.5

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

391

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

21.4

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.18

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.047

0.100

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.015

0.031

0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g