1200V 400A
Მოკლე შესავალი
IGBT მოდული , წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1200V 400A.
Მახასიათებლები
Ტიპიური Აპლიკაციები
Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
IGBT
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
VCES |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1200 |
V |
VGES |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
IC |
Კოლექტორის დენი @ TC=25oC @ TC=70oC |
549 400 |
Ა |
ICM |
Პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms |
800 |
Ა |
PD |
Მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @ T =150oC |
2659 |
W |
Დიოდი
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
VRRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
1200 |
V |
IF |
Დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი |
400 |
Ა |
Თუმ |
Დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms |
800 |
Ა |
Მოდული
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
Tjmax |
Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
150 |
oC |
Ტჟოპ |
Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
-40-დან +125-მდე |
oC |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი |
-40-დან +125-მდე |
oC |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V |
IGBT Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
V CE ((sat) |
Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა |
I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C |
|
2.90 |
3.35 |
V |
I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C |
|
3.60 |
|
|||
V Გენერალური საწარმოები (th ) |
Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი |
I C = 16.0mA,V CE =V Გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25 o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
I CES |
Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება |
V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
I Გენერალური საწვავის სისტემა |
Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება |
V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Გინტი |
Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური |
|
|
0.6 |
|
ω |
C ies |
Შეყვანის სიმძლავრე |
V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V |
|
26.0 |
|
nF |
C res |
Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა |
|
1.70 |
|
nF |
|
Q G |
Კარიბჭის გადასახადი |
V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V |
|
4.2 |
|
μC |
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.2Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C |
|
76 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
57 |
|
n |
|
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
529 |
|
n |
|
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
73 |
|
n |
|
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
5.2 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
23.2 |
|
mJ |
|
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.2Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C |
|
81 |
|
n |
t r |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
62 |
|
n |
|
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
567 |
|
n |
|
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
81 |
|
n |
|
E ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი |
|
9.9 |
|
mJ |
|
E გათიშული |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
31.7 |
|
mJ |
|
I SC |
Ს.კ. მონაცემები |
t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V |
|
2800 |
|
Ა |
Დიოდი Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
V F |
Დიოდი წინ Ვოლტი |
I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C |
|
1.96 |
2.31 |
V |
I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C |
|
1.98 |
|
|||
Q r |
Აღდგენილი გადასახადი |
V R =600 ვოლტი,I F =400A, -di/dt=6000A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 o C |
|
24.9 |
|
μC |
I RM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
317 |
|
Ა |
|
E რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
16.0 |
|
mJ |
|
Q r |
Აღდგენილი გადასახადი |
V R =600 ვოლტი,I F =400A, -di/dt=6000A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125o C |
|
35.5 |
|
μC |
I RM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
391 |
|
Ა |
|
E რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
21.4 |
|
mJ |
Მოდული Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
L CE |
Ცარიელი ინდუქტენტობა |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს |
|
0.18 |
|
mΩ |
R thJC |
Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი) |
|
|
0.047 0.100 |
Კვ/ვ |
R thCH |
Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის) |
|
0.015 0.031 0.010 |
|
Კვ/ვ |
M |
Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.m |
G |
Წონა of Მოდული |
|
300 |
|
g |
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.