IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

GD400HFU120C2S

ერთეულები

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

± 20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C = 25°C

@ ტ C =80 °C

660

400

ა

I CM (1)

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

ა

I F

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

400

ა

I FM (1)

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი მიმდინარე ქირაობა

800

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ = 150°C

2660

W

T SC

მოკლე ჩართვის გამძლეობის დრო @ T ჯ =125 °C

10

μs

T ჯ

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

მონტაჟის მომენტი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან 5.0

N.m

დაყენება შრიფტი:M6

3.0-დან 6.0

N.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V (BR )CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ვოლტი

I C =4.0 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

3.10

3.60

V

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ = 125°C

3.45

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, r g =2.2Ω,V გენერალური საწარმოები = ± 15 V, T ჯ =25 °C

680

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

142

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

638

n

T F

შემოდგომის დრო

99

n

E ჩართული

ჩართვის გადართვა

დანარჩენი

19.0

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

32.5

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, r g =2.2Ω,V გენერალური საწარმოები = ± 15 V, T ჯ = 125°C

690

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

146

n

T D (გათიშული )

გამორთვა დაყოვნების დრო

669

n

T F

შემოდგომის დრო

108

n

E ჩართული

ჩართვის გადართვა

დანარჩენი

26.1

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

36.7

mJ

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V გენერალური საწარმოები =0V

33.7

NF

C oes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

2.99

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.21

NF

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs,V გენერალური საწარმოები =15 V, T ჯ =25 °C ,

V CC =600V, V CEM ≤ 1200 ვოლტი

2600

ა

r გინტი

შიდა კარიბჭის რეზისი ტანსი

0.5

Ω

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

18

nH

r CC + EE ’

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა ce, ტერმინალი ჩიპზე

T C =25 °C

0.32

M Ω

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =400A

T ჯ =25 °C

1.95

2.35

V

T ჯ = 125°C

1.85

Q r

აღდგენილი გადასახადი

I F =400A,

V r =600 V,

di/dt=-2850A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V

T ჯ =25 °C

24.1

μC

T ჯ = 125°C

44.3

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

220

ა

T ჯ = 125°C

295

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

T ჯ =25 °C

13.9

mJ

T ჯ = 125°C

24.8

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

r θ ჟ.კ.

კვანძები (IG-ის მიხედვით) BT)

0.047

კვ/ვ

r θ ჟ.კ.

კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.096

კვ/ვ

r θ CS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი a პლიდი)

0.035

კვ/ვ

g

წონა მოდული

350

g