IGBT მოდული 1200V

სიმბოლო

აღწერა

მნიშვნელობები

UNIT

V CES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V გენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

კოლექტორის დენი @ T C =25 O C

@ ტ C =100 O C

769

400

ა

I CM

პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

ა

პ D

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =1 75O C

2272

W

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

UNIT

T vjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

O C

T vjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

O C

T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

O C

V ISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

V CE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 O C

2.25

I C =400A,V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 O C

2.35

V გენერალური საწარმოები (th )

ღობე-გამომცემის ზღვარი ვოლტი

I C =16.00 mA ,V CE = V გენერალური საწარმოები ,T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

კოლექციონერი გადაჭრილი -გათიშული

დიდება

V CE = V CES ,V გენერალური საწარმოები =0V,

T vj =25 O C

1.0

mA

I გენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი დიდება

V გენერალური საწარმოები = V გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

nA

r გინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.5

Ω

C ies

შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V გენერალური საწარმოები =0V

43.2

NF

C res

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

1.18

NF

Q g

კარიბჭის გადასახადი

V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

3.36

μC

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, r g =2Ω, L s =45 nH ,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T vj =25 O C

288

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

72

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

314

n

T F

შემოდგომის დრო

55

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

43.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

12.4

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, r g =2Ω, L s =45 nH ,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T vj =125 O C

291

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

351

n

T F

შემოდგომის დრო

88

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

57.6

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

17.1

mJ

T D (ჩართული )

ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, r g =2Ω, L s =45 nH ,

V გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T vj =150 O C

293

n

T r

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

78

n

T d(off)

გამორთვა დაყოვნების დრო

365

n

T F

შემოდგომის დრო

92

n

E ჩართული

ჩართვა გადაღება

დანარჩენი

62.8

mJ

E გათიშული

გამორთვის გადართვა

დანარჩენი

18.6

mJ

I SC

ს.კ. მონაცემები

T პ ≤ 10μs, V გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1500

ა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

ერთეულები

V F

დიოდი წინ

ვოლტი

I F =400A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =400A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =400A,V გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, L s =45 nH ,T vj =25 O C

38.8

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

252

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

11.2

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =400A,

-დი /dt = 3860A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, L s =45 nH ,T vj =125 O C

61.9

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

255

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

18.7

mJ

Q r

აღდგენილი

დავალება

V r =600 ვოლტი,I F =400A,

-დი /dt = 3720A/μs, V გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V, L s =45 nH ,T vj =150 O C

75.9

μC

I RM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

257

ა

E რეკ

საპირისპირო აღდგენა ენერგია

20.5

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქსიმალური

UNIT

L CE

ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

r CC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

r thJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით) ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.066

0.115

კვ/ვ

r thCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031

0.055

0.010

კვ/ვ

M

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, მუხრუჭი M6 დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

g

წონა of მოდული

300

g