1200V 300A
Მოკლე შესავალი
IGBT მოდული , წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1200V 600A.
Თვისება
Ტიპიური Აპლიკაციები
Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
IGBT
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V CES |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1200 |
V |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
I C |
Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ ტ C =100 o C |
480 300 |
Ა |
I CM |
Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms |
600 |
Ა |
Პ D |
Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C |
1613 |
W |
Დიოდი
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V RRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
1200 |
V |
I F |
Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა |
300 |
Ა |
I FM |
Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms |
600 |
Ა |
Მოდული
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
T jmax |
Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
175 |
o C |
T ჯოპი |
Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
-40-დან +150-მდე |
o C |
T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი |
-40-დან +125-მდე |
o C |
V ISO |
Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ |
4000 |
V |
IGBT Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
|
VCE (სატ) |
Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა |
IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC |
|
1.70 |
2.15 |
V |
IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC |
|
1.95 |
|
|||
IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC |
|
2.00 |
|
|||
VGE ((თ) |
Ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა |
IC=7.50mA, VCE=VGE, Tj=25oC |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
Კოლექტორის გათიშვა Დიდება |
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
|
400 |
nA |
RGint |
Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა |
|
|
2.5 |
|
ω |
Კაი |
Შეყვანის სიმძლავრე |
VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
|
31.1 |
|
nF |
Კრეს |
Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა |
|
0.87 |
|
nF |
|
Სათაო ოფისი |
Კარიბჭის გადასახადი |
VGE=- 15...+15V |
|
2.33 |
|
μC |
თსს |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
VCC=600V,IC=300A,RG=1.3Ω,VGE=±15V,Tj=25oC |
|
182 |
|
n |
ტრ |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
54 |
|
n |
|
ტდ (((გამოხურული) |
Გამორთვის დაგვიანების დრო |
|
464 |
|
n |
|
tf |
Შემოდგომის დრო |
|
72 |
|
n |
|
Ეონ |
Ჩართვის გადართვა Დანარჩენი |
|
10.6 |
|
mJ |
|
Ეოფ |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
25.8 |
|
mJ |
|
თსს |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
VCC=600V,IC=300A,RG=1.3Ω,VGE=±15V,Tj=125oC |
|
193 |
|
n |
ტრ |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
54 |
|
n |
|
ტდ (((გამოხურული) |
Გამორთვის დაგვიანების დრო |
|
577 |
|
n |
|
tf |
Შემოდგომის დრო |
|
113 |
|
n |
|
Ეონ |
Ჩართვის გადართვა Დანარჩენი |
|
16.8 |
|
mJ |
|
Ეოფ |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
38.6 |
|
mJ |
|
თსს |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
VCC=600V,IC=300A,RG=1.3Ω,VGE=±15V,Tj=150oC |
|
203 |
|
n |
ტრ |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
54 |
|
n |
|
ტდ (((გამოხურული) |
Გამორთვის დაგვიანების დრო |
|
618 |
|
n |
|
tf |
Შემოდგომის დრო |
|
124 |
|
n |
|
Ეონ |
Ჩართვის გადართვა Დანარჩენი |
|
18.5 |
|
mJ |
|
Ეოფ |
Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი |
|
43.3 |
|
mJ |
|
|
ISC |
Ს.კ. მონაცემები |
tP≤10μs,VGE=15V, Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V |
|
1200 |
|
Ა |
Დიოდი Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
|
VF |
Დიოდი წინ Ვოლტი |
IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
|
1.65 |
2.10 |
V |
IF=300A,VGE=0V,Tj=125oC |
|
1.65 |
|
|||
IF=300A,VGE=0V,Tj=150oC |
|
1.65 |
|
|||
Qr |
Აღდგენილი გადასახადი |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC |
|
29 |
|
μC |
IRM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
318 |
|
Ა |
|
Ერეკი |
Ენერგიის საპირისპირო აღდგენა |
|
18.1 |
|
mJ |
|
Qr |
Აღდგენილი გადასახადი |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC |
|
55 |
|
μC |
IRM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
371 |
|
Ა |
|
Ერეკი |
Ენერგიის საპირისპირო აღდგენა |
|
28.0 |
|
mJ |
|
Qr |
Აღდგენილი გადასახადი |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 150oC |
|
64 |
|
μC |
IRM |
Პიკის საპირისპირო Აღდგენის დენი |
|
390 |
|
Ა |
|
Ერეკი |
Ენერგიის საპირისპირო აღდგენა |
|
32.8 |
|
mJ |
Მოდული Მახასიათებლები T C =25 o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
LCE |
Ცარიელი ინდუქტენტობა |
|
|
20 |
nH |
RCC+EE |
Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე |
|
0.35 |
|
mΩ |
RthJC |
Შეხება კასესთან (IGBT-ის მიხედვით) Კოლოფიდან კოლოფამდე (დიოდების მიხედვით) |
|
|
0.093 0.155 |
Კვ/ვ |
|
RthCH |
Კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (IGBT-ის მიხედვით) Კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (დიოდის მიხედვით) Კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (მოდულის მიხედვით) |
|
0.016 0.027 0.010 |
|
Კვ/ვ |
M |
Მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.m |
G |
Მოდულის წონა |
|
300 |
|
g |
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
