1200V 300A
მოკლე შესავალი
IGBT მოდული , წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1200V 600A.
თვისება
ტიპიური აპლიკაციები
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
IGBT
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | UNIT |
V CES | კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა | 1200 | V |
V გენერალური საწვავის სისტემა | ღობე-გამომცემის ძაბვა | ±20 | V |
I C | კოლექტორის დენი @ T C =25 O C @ ტ C =100 O C | 480 300 | ა |
I CM | პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms | 600 | ა |
პ D | მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 O C | 1613 | W |
დიოდი
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | UNIT |
V RRM | განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა | 1200 | V |
I F | დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა | 300 | ა |
I FM | დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms | 600 | ა |
მოდული
სიმბოლო | აღწერა | ღირებულება | UNIT |
T jmax | მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა | 175 | O C |
T ჯოპი | მუშაობის კვანძის ტემპერატურა | -40-დან +150-მდე | O C |
T სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო | შემადგენლითი ტემპერატურა დიაპაზონი | -40-დან +125-მდე | O C |
V ISO | იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ | 4000 | V |
IGBT მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | UNIT |
VCE (სატ) |
შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა | IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC |
| 1.70 | 2.15 |
V |
IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC |
| 1.95 |
| |||
IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC |
| 2.00 |
| |||
VGE ((თ) | ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა | IC=7.50mA, VCE=VGE, Tj=25oC | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V |
ICES | კოლექტორის გათიშვა დიდება | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC |
|
| 1.0 | mA |
IGES | გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
| 400 | nA |
RGint | შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა |
|
| 2.5 |
| Ω |
კაი | შეყვანის სიმძლავრე | VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
| 31.1 |
| NF |
კრეს | საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა |
| 0.87 |
| NF | |
სათაო ოფისი | კარიბჭის გადასახადი | VGE=- 15...+15V |
| 2.33 |
| μC |
თსს | ჩართვის შეფერხების დრო |
VCC=600V,IC=300A,RG=1.3Ω,VGE=±15V,Tj=25oC |
| 182 |
| n |
ტრ | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
| 54 |
| n | |
ტდ (((გამოხურული) | გამორთვის დაგვიანების დრო |
| 464 |
| n | |
tf | შემოდგომის დრო |
| 72 |
| n | |
ეონ | ჩართვის გადართვა დანარჩენი |
| 10.6 |
| mJ | |
ეოფ | გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
| 25.8 |
| mJ | |
თსს | ჩართვის შეფერხების დრო |
VCC=600V,IC=300A,RG=1.3Ω,VGE=±15V,Tj=125oC |
| 193 |
| n |
ტრ | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
| 54 |
| n | |
ტდ (((გამოხურული) | გამორთვის დაგვიანების დრო |
| 577 |
| n | |
tf | შემოდგომის დრო |
| 113 |
| n | |
ეონ | ჩართვის გადართვა დანარჩენი |
| 16.8 |
| mJ | |
ეოფ | გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
| 38.6 |
| mJ | |
თსს | ჩართვის შეფერხების დრო |
VCC=600V,IC=300A,RG=1.3Ω,VGE=±15V,Tj=150oC |
| 203 |
| n |
ტრ | ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
| 54 |
| n | |
ტდ (((გამოხურული) | გამორთვის დაგვიანების დრო |
| 618 |
| n | |
tf | შემოდგომის დრო |
| 124 |
| n | |
ეონ | ჩართვის გადართვა დანარჩენი |
| 18.5 |
| mJ | |
ეოფ | გამორთვის გადართვა დანარჩენი |
| 43.3 |
| mJ | |
ISC |
ს.კ. მონაცემები | tP≤10μs,VGE=15V, Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V |
|
1200 |
|
ა |
დიოდი მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | გამოცდის პირობები | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | UNIT |
VF | დიოდი წინ ვოლტი | IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
| 1.65 | 2.10 |
V |
IF=300A,VGE=0V,Tj=125oC |
| 1.65 |
| |||
IF=300A,VGE=0V,Tj=150oC |
| 1.65 |
| |||
Qr | აღდგენილი გადასახადი | VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC |
| 29 |
| μC |
IRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
| 318 |
| ა | |
ერეკი | ენერგიის საპირისპირო აღდგენა |
| 18.1 |
| mJ | |
Qr | აღდგენილი გადასახადი | VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC |
| 55 |
| μC |
IRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
| 371 |
| ა | |
ერეკი | ენერგიის საპირისპირო აღდგენა |
| 28.0 |
| mJ | |
Qr | აღდგენილი გადასახადი | VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 150oC |
| 64 |
| μC |
IRM | პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
| 390 |
| ა | |
ერეკი | ენერგიის საპირისპირო აღდგენა |
| 32.8 |
| mJ |
მოდული მახასიათებლები T C =25 O C თუკი სხვანაირად მონიშნული
სიმბოლო | პარამეტრი | მინ. | თპ. | მაქსიმალური | UNIT |
LCE | ცარიელი ინდუქტენტობა |
|
| 20 | nH |
RCC+EE | მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე |
| 0.35 |
| mΩ |
RthJC | შეხება კასესთან (IGBT-ის მიხედვით) კოლოფიდან კოლოფამდე (დიოდების მიხედვით) |
|
| 0.093 0.155 | კვ/ვ |
RthCH | კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (IGBT-ის მიხედვით) კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (დიოდის მიხედვით) კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (მოდულის მიხედვით) |
| 0.016 0.027 0.010 |
| კვ/ვ |
M | მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.m |
g | მოდულის წონა |
| 300 |
| g |
ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
